CS5NB90 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CS5NB90
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
Тип корпуса: TO-257
Аналог (замена) для CS5NB90
CS5NB90 Datasheet (PDF)
cs5nb90.pdf

CS5NB90 N PD TC=25 125 W 1.0 W/ VGS=10V,TC=25 5 ID A VGS=10V,TC=100 3.1 VGS 30 V Tjm +150 Tstg -65 +150 RthJC 0.45 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 900 V RDS on VGS=10V,ID=2.5A 2.3 2.5 VG
Другие MOSFET... CS5N65A7H , CS5N65A8H , CS5N65FA9H , CS5N70A4 , CS5N70FA9 , CS5N90 , CS5N90ARH-G , CS5N90FA9H , 12N60 , CS5NJ5305 , CS5NJ540 , CS5NJ540A , CS5NJ9540 , CS5NJZ48 , CS5NM50 , CS5Y3205 , CS5Y5305CM .
History: PJ2301 | CS5410 | IRF7704PBF | CS5M5210
History: PJ2301 | CS5410 | IRF7704PBF | CS5M5210



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP5N10SI | AP5N10MI | AP5N10BSI | AP5N10BI | AP5N06MI | AP5N04MI | AP55N10F | AP50P10P | AP50P10NF | AP50P10D | AP50P04DF | AP50P04D | AP50P03NF | AP50P03DF | AP50P03D | AP30N10D
Popular searches
2n1308 transistor | p609 | bc327-40 | tip125 | a992 transistor | 2sa913 | 2sc711 datasheet | bu4508dx