CS5NB90. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS5NB90

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: TO-257

Аналог (замена) для CS5NB90

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS5NB90 даташит

 ..1. Size:110K  china
 cs5nb90.pdf pdf_icon

CS5NB90

CS5NB90 N PD TC=25 125 W 1.0 W/ VGS=10V,TC=25 5 ID A VGS=10V,TC=100 3.1 VGS 30 V Tjm +150 Tstg -65 +150 RthJC 0.45 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 900 V RDS on VGS=10V,ID=2.5A 2.3 2.5 VG

Другие IGBT... CS5N65A7H, CS5N65A8H, CS5N65FA9H, CS5N70A4, CS5N70FA9, CS5N90, CS5N90ARH-G, CS5N90FA9H, K3569, CS5NJ5305, CS5NJ540, CS5NJ540A, CS5NJ9540, CS5NJZ48, CS5NM50, CS5Y3205, CS5Y5305CM