Справочник MOSFET. CS5NB90

 

CS5NB90 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CS5NB90
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-257
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CS5NB90 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:110K  china
 cs5nb90.pdf pdf_icon

CS5NB90

CS5NB90 N PD TC=25 125 W 1.0 W/ VGS=10V,TC=25 5 ID A VGS=10V,TC=100 3.1 VGS 30 V Tjm +150 Tstg -65 +150 RthJC 0.45 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 900 V RDS on VGS=10V,ID=2.5A 2.3 2.5 VG

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: AM4492N

 

 
Back to Top

 


 
.