Справочник MOSFET. CS5NB90

 

CS5NB90 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CS5NB90
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-257
 

 Аналог (замена) для CS5NB90

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS5NB90 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:110K  china
 cs5nb90.pdf pdf_icon

CS5NB90

CS5NB90 N PD TC=25 125 W 1.0 W/ VGS=10V,TC=25 5 ID A VGS=10V,TC=100 3.1 VGS 30 V Tjm +150 Tstg -65 +150 RthJC 0.45 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 900 V RDS on VGS=10V,ID=2.5A 2.3 2.5 VG

Другие MOSFET... CS5N65A7H , CS5N65A8H , CS5N65FA9H , CS5N70A4 , CS5N70FA9 , CS5N90 , CS5N90ARH-G , CS5N90FA9H , SPP20N60C3 , CS5NJ5305 , CS5NJ540 , CS5NJ540A , CS5NJ9540 , CS5NJZ48 , CS5NM50 , CS5Y3205 , CS5Y5305CM .

History: EMP21N03HC | CEM6659 | BSC050N03MS | DMN1032UCB4 | AP65SL190DP | 2SK3219-01MR | F47W60C3

 

 
Back to Top

 


 
.