CS6215PBF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS6215PBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.29 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для CS6215PBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS6215PBF даташит

 ..1. Size:58K  china
 cs6215pbf.pdf pdf_icon

CS6215PBF

CS6215Pbf P PD TC=25 110 W ID VGS=-10V,TC=25 -13 A IDM -44 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 1.4 /W BVDSS VGS=0V,ID=-0.25mA -150 V RDS on VGS=-10V,ID=-6.6A 0.29 VGS th VDS=VGS,ID=-0.25mA -2.0 -4.0 V gfs VD

Другие IGBT... CS5NJ540A, CS5NJ9540, CS5NJZ48, CS5NM50, CS5Y3205, CS5Y5305CM, CS5Y9540CM, CS60N04A4, IRFB3607, CS630, CS630A3H, CS630A4H, CS630A8H, CS630D, CS630F, CS630FA9H, CS634F