CS7N1404. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS7N1404

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: TO-254

Аналог (замена) для CS7N1404

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS7N1404 даташит

 ..1. Size:63K  china
 cs7n1404.pdf pdf_icon

CS7N1404

CS7N1404 N PD TC=25 100 W 0.8 W/ ID VGS=10V,TC=25 55 A ID VGS=10V,TC=100 55 A IDM 220 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 1.25 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 40 V VGS=10V,ID=55A 0.006 RDS on V

 9.1. Size:887K  jilin sino
 jcs7n120aba jcs7n120wa.pdf pdf_icon

CS7N1404

N R N-CHANNEL MOSFET JCS7N120A MAIN CHARACTERISTICS Package ID 7 A VDSS 1200 V Rdson Vgs=10V 1.5 -MAX Qg-Typ 61.13 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode . power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge LED power supp

Другие IGBT... CS740S, CS7416, CS7455, CS7456, CS75N08, CS75N75, CS75N75B8H, CS7807, IRF640N, CS7N60A7HD, CS7N60A8HD, CS7N60F, CS7N60FA9HD, CS7N60FA9HDY, CS7N65A0D, CS7N65A3TDY, CS7N65A4TDY