CS7N1404 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: CS7N1404
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
Тип корпуса: TO-254
Аналог (замена) для CS7N1404
CS7N1404 Datasheet (PDF)
cs7n1404.pdf

CS7N1404N PD TC=25 100 W 0.8 W/ID VGS=10V,TC=25 55 AID VGS=10V,TC=100 55 AIDM 220 A VGS 20 VTjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 1.25 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 40 VVGS=10V,ID=55A 0.006 RDS on V
jcs7n120aba jcs7n120wa.pdf

N RN-CHANNEL MOSFET JCS7N120A MAIN CHARACTERISTICS Package ID 7 A VDSS 1200 V RdsonVgs=10V 1.5 -MAX Qg-Typ 61.13 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode . power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge LED power supp
Другие MOSFET... CS740S , CS7416 , CS7455 , CS7456 , CS75N08 , CS75N75 , CS75N75B8H , CS7807 , IRF630 , CS7N60A7HD , CS7N60A8HD , CS7N60F , CS7N60FA9HD , CS7N60FA9HDY , CS7N65A0D , CS7N65A3TDY , CS7N65A4TDY .
History: SE6020B | PTP16N65 | VS3625GEMC | LND150N3 | PMPB8XN | 2SK3591 | NVTR01P02L
History: SE6020B | PTP16N65 | VS3625GEMC | LND150N3 | PMPB8XN | 2SK3591 | NVTR01P02L



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
m28s transistor | 2n3640 | tta1943 transistor | fb4410z | 2sa899 | 2sc1166 | jcs9n50fc datasheet | 2n2147