CS7N65FA9TDY - аналоги и даташиты транзистора

 

CS7N65FA9TDY - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: CS7N65FA9TDY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 93 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для CS7N65FA9TDY

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS7N65FA9TDY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:750K  wuxi china
 cs7n65fa9tdy.pdf pdf_icon

CS7N65FA9TDY

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS7N65F A9TDY General Description VDSS 650 V CS7N65F A9TDY, the silicon N-channel Enhanced ID 7 A PD(TC=25) 40 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 1.1 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various

 5.1. Size:275K  wuxi china
 cs7n65fa9r.pdf pdf_icon

CS7N65FA9TDY

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS7N65F A9R General Description VDSS 650 V CS7N65F A9R, the silicon N-channel Enhanced ID 7 A PD(TC=25) 35 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 1.2 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power

 5.2. Size:625K  wuxi china
 cs7n65fa9d.pdf pdf_icon

CS7N65FA9TDY

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS7N65F A9D General Description VDSS 650 V CS7N65F A9D, the silicon N-channel Enhanced ID 7 A PD(TC=25) 40 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.98 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various po

 7.1. Size:757K  jilin sino
 jcs7n65bb jcs7n65sb jcs7n65cb jcs7n65fb.pdf pdf_icon

CS7N65FA9TDY

N RN-CHANNEL MOSFET JCS7N65B MAIN CHARACTERISTICS ID 7.0 A VDSS 650 V Package Rdson-max 1.3 (@Vgs=10V Qg-typ 25 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... CS7N60A7HD , CS7N60A8HD , CS7N60F , CS7N60FA9HD , CS7N60FA9HDY , CS7N65A0D , CS7N65A3TDY , CS7N65A4TDY , IRFB4115 , CS7N70ARD , CS7N80A8 , CS7N80F , CS7NJZ44V , CS7Y1905C , CS80N60P3 , CS830 , CS830A3RD .

History: CS7N70ARD

 

 
Back to Top

 


 
.