CS840A8D - аналоги, параметры транзистора - Справочник транзисторов

CS840A8D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS840A8D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для CS840A8D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

CS840A8D даташит

..1. Size:519K wuxi china
cs840a8d.pdf pdf_icon

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS840 A8D General Description VDSS 500 V CS840 A8D, the silicon N-channel Enhanced ID 7 A PD(TC=25 ) 100 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar RDS(ON)Typ 0.68 Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power

7.1. Size:348K wuxi china
cs840a8h.pdf pdf_icon

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS840 A8H General Description VDSS 500 V CS840 A8H, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, ID 8 A PD (TC=25 ) 110 W is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce RDS(ON)Typ 0.57 the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power s

9.1. Size:346K crhj
cs840f a9h.pdf pdf_icon

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS840F A9H General Description VDSS 500 V CS840F A9H, the silicon N-channel Enhanced ID 8 A PD (TC=25 ) 45 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.57 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various pow

9.2. Size:348K crhj
cs840 a8h.pdf pdf_icon