Справочник MOSFET. CS840A8D

 

CS840A8D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CS840A8D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 24 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 16.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для CS840A8D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS840A8D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:519K  wuxi china
 cs840a8d.pdf pdf_icon

CS840A8D

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS840 A8D General Description VDSS 500 V CS840 A8D, the silicon N-channel Enhanced ID 7 A PD(TC=25) 100 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar RDS(ON)Typ 0.68 Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power

 7.1. Size:348K  wuxi china
 cs840a8h.pdf pdf_icon

CS840A8D

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS840 A8H General Description VDSS 500 V CS840 A8H, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, ID 8 A PD (TC=25) 110 W is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce RDS(ON)Typ 0.57 the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power s

 9.1. Size:346K  crhj
 cs840f a9h.pdf pdf_icon

CS840A8D

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS840F A9H General Description VDSS 500 V CS840F A9H, the silicon N-channel Enhanced ID 8 A PD (TC=25) 45 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.57 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various pow

 9.2. Size:348K  crhj
 cs840 a8h.pdf pdf_icon

CS840A8D

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS840 A8H General Description VDSS 500 V CS840 A8H, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, ID 8 A PD (TC=25) 110 W is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce RDS(ON)Typ 0.57 the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power s

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... CS80N60P3 , CS830 , CS830A3RD , CS830A4RD , CS830A8RD , CS830F , CS830FA9RD , CS840 , SPP20N60C3 , CS840A8H , CS840F , CS840FA9D , CS840FA9H , CS8473 , CS8N25A4H , CS8N25A8H , CS8N60A8H .

 

 
Back to Top

 


 
.