CS8N90FA9HD datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CS8N90FA9HD  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 57 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 152 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CS8N90FA9HD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS8N90FA9HD даташит

 ..1. Size:770K  wuxi china
 cs8n90fa9hd.pdf pdf_icon

CS8N90FA9HD

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS8N90F A9HD VDSS 900 V General Description ID 8 A CS8N90F A9HD, the silicon N-channel Enhanced PD (TC=25 ) 57 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar RDS(ON)Typ 1.3 Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various

 7.1. Size:770K  crhj
 cs8n90f a9hd.pdf pdf_icon

CS8N90FA9HD

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS8N90F A9HD VDSS 900 V General Description ID 8 A CS8N90F A9HD, the silicon N-channel Enhanced PD (TC=25 ) 57 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar RDS(ON)Typ 1.3 Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various

 7.2. Size:652K  crhj
 cs8n90f a9.pdf pdf_icon

CS8N90FA9HD

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS8N90F A9 VDSS 900 V General Description ID 8 A CS8N90F A9, the silicon N-channel Enhanced PD (TC=25 ) 57 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar RDS(ON)Typ 1.2 Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various powe

 7.3. Size:666K  convert
 cs8n90f cs8n90p.pdf pdf_icon

CS8N90FA9HD

nvert Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. CS8N90F, CS8N90P 900V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking CS8N90F TO-220F CS8N90F CS8N9

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CS8N25A8H, CS8N60A8H, CS8N60F, CS8N60FA9H, CS8N65A0H, CS8N65A8H, CS8N65FA9H, CS8N80FA9D, CS150N03A8, CS90N03B4, CS90N20D, CS910TH, CS9140, CS9530, CS9532, CS9540, CS9620