CSM350. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CSM350

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.315 Ohm

Тип корпуса: TO-257

Аналог (замена) для CSM350

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CSM350 даташит

 ..1. Size:126K  china
 csm350.pdf pdf_icon

CSM350

CSM350 N PD TC=25 150 W 1.2 W/ ID VGS=10V,TC=25 14 A ID VGS=10V,TC=100 9.0 A IDM 56 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 0.83 /W RthJA 48 /W BVDSS VGS=0V,ID=1.0 mA 400 V VGS=10V,ID=9A 0

Другие IGBT... CSF9024, CSI460, CSI4N60, CSL2803, CSLR024, CSM064, CSM150, CSM260, IRFZ48N, CSML0060, CSN440, CSP064, CSP250, CSP2907, CSP610TH, CSP89, CSR024