CSP2907 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: CSP2907
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 470 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 209 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
Тип корпуса: TO-258A
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
CSP2907 Datasheet (PDF)
csp2907.pdf

CSP2907N PD TC=25 470 W 3.1 W/ID VGS=10V,TC=25 209 AIDM 840 A VGS 20 VTjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 0.32 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 75 VRDS on VGS=10V,ID=125A 3.6 4.5 mVGS th VDS=10V,ID=0.25mA 2.0 4
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
History: AOW4S60 | AOTF66616L
History: AOW4S60 | AOTF66616L



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
mpsa56 transistor | transistor 2222a | 8050 transistor | bc238 | 2sb772 | 2n2222a-1726 datasheet | bc516 | 2n3391 equivalent