Справочник MOSFET. CSD16325Q5

 

CSD16325Q5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CSD16325Q5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2190 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.002 Ohm
   Тип корпуса: SON5X6 SUPERSO8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CSD16325Q5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:802K  texas
 csd16325q5.pdf pdf_icon

CSD16325Q5

CSD16325Q5www.ti.com SLPS218C AUGUST 2009 REVISED APRIL 2010N-Channel NexFET Power MOSFETsCheck for Samples: CSD16325Q51FEATURESPRODUCT SUMMARY2 Optimized for 5V Gate DriveVDS Drain to Source Voltage 25 V Ultralow Qg and QgdQg Gate Charge Total (4.5V) 18 nC Low Thermal ResistanceQgd Gate Charge Gate to Drain 3.5 nC Avalanche RatedVGS = 3V 2.1

 7.1. Size:1195K  texas
 csd16327q3.pdf pdf_icon

CSD16325Q5

CSD16327Q3www.ti.com SLPS371 DECEMBER 2011N-Channel NexFET Power MOSFETCheck for Samples: CSD16327Q31FEATURESPRODUCT SUMMARY2 Optimized for 5V Gate DriveVDS Drain to Source Voltage 25 V Ultra Low Qg and QgdQg Gate Charge Total (4.5V) 6.2 nC Low Thermal ResistanceQgd Gate Charge Gate to Drain 1.1 nCVGS = 3V 5 m Avalanche RatedRDS(on) Drain to

 7.2. Size:757K  texas
 csd16321q5.pdf pdf_icon

CSD16325Q5

CSD16321Q5www.ti.com SLPS220B AUGUST 2009 REVISED MAY 2010N-Channel NexFET Power MOSFETCheck for Samples: CSD16321Q51FEATURESPRODUCT SUMMARY2 Optimized for 5V Gate DriveVDS Drain to Source Voltage 25 V Ultra Low Qg and QgdQg Gate Charge Total (4.5V) 14 nC Low Thermal ResistanceQgd Gate Charge Gate to Drain 2.5 nC Avalanche RatedVGS = 3V 2.8 m

 7.3. Size:763K  texas
 csd16322q5.pdf pdf_icon

CSD16325Q5

CSD16322Q5www.ti.com SLPS219B AUGUST 2009 REVISED MAY 2010N-Channel NexFET Power MOSFETCheck for Samples: CSD16322Q51FEATURESPRODUCT SUMMARY2 Optimized for 5V Gate DriveVDS Drain to Source Voltage 25 V Ultralow Qg and QgdQg Gate Charge Total (4.5V) 6.8 nC Low Thermal ResistanceQgd Gate Charge Gate to Drain 1.3 nC Avalanche RatedVGS = 3V 5.4 m

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: DMN2020LSN | AP4002T | FDB0260N1007L | STP60NF06LFP | CTD10N100 | IRLI3803PBF | TPA65R180D

 

 
Back to Top

 


 
.