CSD16406Q3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CSD16406Q3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12.9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 680 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0053 Ohm

Тип корпуса: SON3.3X3.3 SUPERSO8

Аналог (замена) для CSD16406Q3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CSD16406Q3 даташит

 ..1. Size:728K  texas
csd16406q3.pdfpdf_icon

CSD16406Q3

CSD16406Q3 www.ti.com SLPS202A AUGUST 2009 REVISED SEPTEMBER 2010 N-Channel NexFET Power MOSFETs Check for Samples CSD16406Q3 1 FEATURES PRODUCT SUMMARY 2 Ultra Low Qg and Qgd VDS Drain to Source Voltage 25 V Low Thermal Resistance Qg Gate Charge Total (4.5V) 5.8 nC Avalanche Rated Qgd Gate Charge Gate to Drain 1.5 nC Pb Free Terminal Plating VGS = 4.5V

 ..2. Size:858K  cn vbsemi
csd16406q3.pdfpdf_icon

CSD16406Q3

CSD16406Q3 www.VBsemi.tw N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21 PRODUCT SUMMARY Definition VDS (V) RDS(on) ( ) Typ. Qg (Typ.) ID (A) TrenchFET Power MOSFET 0.004 at VGS = 4.5 V 50 100 % Rg and UIS Tested 30 33.5 nC 0.005 at VGS = 2.5 V 45 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Motor Control I

 7.1. Size:881K  texas
csd16401q5.pdfpdf_icon

CSD16406Q3

Sample & Support & Reference Product Technical Tools & Buy Community Design Folder Documents Software CSD16401Q5 SLPS200B AUGUST 2009 REVISED SEPTEMBER 2015 CSD16401Q5 25-V N-Channel NexFET Power MOSFET 1 Features Product Summary 1 Ultralow Qg and Qgd TA = 25 C VALUE UNIT Low Thermal Resistance VDS Drain-to-Source voltage 25 V Avalanche Rated Qg Gate Charge,

 7.2. Size:196K  texas
csd16409q3.pdfpdf_icon

CSD16406Q3

CSD16409Q3 www.ti.com SLPS204A AUGUST 2009 REVISED MAY 2010 N-Channel NexFET Power MOSFETs Check for Samples CSD16409Q3 1 FEATURES PRODUCT SUMMARY 2 Ultra Low Qg and Qgd VDS Drain to Source Voltage 25 V Low Thermal Resistance Qg Gate Charge Total (4.5V) 4 nC Avalanche Rated Qgd Gate Charge Gate to Drain 1 nC Pb Free Terminal Plating VGS = 4.5V 9.5 m

Другие IGBT... CSD16323Q3, CSD16325Q5, CSD16327Q3, CSD16340Q3, CSD16342Q5A, CSD16401Q5, CSD16403Q5A, CSD16404Q5A, P55NF06, CSD16407Q5, CSD16408Q5, CSD16409Q3, CSD16410Q5A, CSD16411Q3, CSD16412Q5A, CSD16413Q5A, CSD16414Q5