Справочник MOSFET. CSD16411Q3

 

CSD16411Q3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CSD16411Q3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 2.9 nC
   trⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: QFN3X3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CSD16411Q3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:542K  texas
csd16411q3.pdfpdf_icon

CSD16411Q3

Sample & Support &Product Technical Tools &Buy CommunityFolder Documents SoftwareCSD16411Q3SLPS206B AUGUST 2009 REVISED NOVEMBER 2016CSD16411Q3 25-V N-Channel NexFET Power MOSFET1 FeaturesProduct Summary1 Ultra-Low Qg and QgdTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Low-Thermal ResistanceVDS Drain-to-Source Voltage 25 V Avalanche RatedQg Gate Charge Total (4

 ..2. Size:352K  ciclon
csd16411q3.pdfpdf_icon

CSD16411Q3

N-Channel CICLON NexFET Power MOSFETs CSD16411Q3 Product Summary Features Ultra Low Qg & Qgd VDS 25 VS 1 8 DS 1 8 D Qg 2.9 nC Low Thermal Resistance G DS 2 7 DS 2 7 D Qgd 0.7 nCS D Avalanche Rated DS S 3 6 D VGS=4.5V 12 m S 3 6 DD RDS(on) S DDG 4 5 DG 4 5 DVGS=10V 8 m Pb Free Terminal Plating Vth 2.0 V RoHS Compli

 7.1. Size:942K  texas
csd16415q5.pdfpdf_icon

CSD16411Q3

Sample & Support & ReferenceProduct Technical Tools &Buy Community DesignFolder Documents SoftwareCSD16415Q5SLPS259A DECEMBER 2011 REVISED SEPTEMBER 2015CSD16415Q5 25-V N-Channel NexFET Power MOSFETAdded text for spacing1 Features1 Ultralow Qg and QgdProduct Summary Very Low On-ResistanceTA = 25C VALUE UNIT Low Thermal ResistanceVDS Drain-to-Sou

 7.2. Size:514K  ciclon
csd16413q5a.pdfpdf_icon

CSD16411Q3

N-Channel CICLON NexFET Power MOSFETs CSD16413Q5A Features Product Summary Ultra Low Qg & Qgd VDS 25 V DS 1 8 DS 1 8 D Qg 9.0 nC Low Thermal Resistance DS 2 7 DG S 2 7 D Qgd 2.5 nC D Avalanche Rated S DS 3 6 DS 3 6 D VGS=4.5V 4.1 m S RDS(on) DDG 4 5 DG 4 5 DVGS=10V 3.1 m Pb Free Terminal Plating S Vth 1.6 V RoHS Complian

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: IMW65R027M1H | CSD16410Q5A

 

 
Back to Top

 


 
.