CSD16556Q5B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CSD16556Q5B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2270 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00107 Ohm

Тип корпуса: SON5X6

Аналог (замена) для CSD16556Q5B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CSD16556Q5B даташит

 ..1. Size:1379K  texas
csd16556q5b.pdfpdf_icon

CSD16556Q5B

Sample & Support & Product Technical Tools & Buy Community Folder Documents Software CSD16556Q5B SLPS432C NOVEMBER 2012 REVISED JANUARY 2015 CSD16556Q5B 25-V N-Channel NexFET Power MOSFET 1 Features Product Summary 1 Extremely Low Resistance TA = 25 C TYPICAL VALUE UNIT Ultralow Qg and Qgd VDS Drain-to-Source Voltage 25 V Low Thermal Resistance Qg Gate Cha

 8.1. Size:947K  texas
csd16570q5b.pdfpdf_icon

CSD16556Q5B

Sample & Support & Product Technical Tools & Buy Community Folder Documents Software CSD16570Q5B SLPS496 JULY 2014 CSD16570Q5B 25-V N-Channel NexFET Power MOSFET 1 Features Product Summary 1 Extremely Low Resistance TA = 25 C TYPICAL VALUE UNIT Low Qg and Qgd VDS Drain-to-Source Voltage 25 V Low Thermal Resistance Qg Gate Charge Total (4.5 V) 95 nC Avalan

 9.1. Size:802K  texas
csd16325q5.pdfpdf_icon

CSD16556Q5B

CSD16325Q5 www.ti.com SLPS218C AUGUST 2009 REVISED APRIL 2010 N-Channel NexFET Power MOSFETs Check for Samples CSD16325Q5 1 FEATURES PRODUCT SUMMARY 2 Optimized for 5V Gate Drive VDS Drain to Source Voltage 25 V Ultralow Qg and Qgd Qg Gate Charge Total (4.5V) 18 nC Low Thermal Resistance Qgd Gate Charge Gate to Drain 3.5 nC Avalanche Rated VGS = 3V 2.1

 9.2. Size:1195K  texas
csd16327q3.pdfpdf_icon

CSD16556Q5B

CSD16327Q3 www.ti.com SLPS371 DECEMBER 2011 N-Channel NexFET Power MOSFET Check for Samples CSD16327Q3 1 FEATURES PRODUCT SUMMARY 2 Optimized for 5V Gate Drive VDS Drain to Source Voltage 25 V Ultra Low Qg and Qgd Qg Gate Charge Total (4.5V) 6.2 nC Low Thermal Resistance Qgd Gate Charge Gate to Drain 1.1 nC VGS = 3V 5 m Avalanche Rated RDS(on) Drain to

Другие IGBT... CSD16408Q5, CSD16409Q3, CSD16410Q5A, CSD16411Q3, CSD16412Q5A, CSD16413Q5A, CSD16414Q5, CSD16415Q5, IRF9540N, CSD16570Q5B, CSD17301Q5A, CSD17302Q5A, CSD17303Q5, CSD17304Q3, CSD17305Q5A, CSD17306Q5A, CSD17307Q5A