CSD17306Q5A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CSD17306Q5A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13.1 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 890 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0037 Ohm

Тип корпуса: SON5X6 SUPERSO8

Аналог (замена) для CSD17306Q5A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CSD17306Q5A даташит

 ..1. Size:883K  texas
 csd17306q5a.pdf pdf_icon

CSD17306Q5A

CSD17306Q5A www.ti.com SLPS253A FEBRUARY 2010 REVISED JULY 2010 30V, N-Channel NexFET Power MOSFETs Check for Samples CSD17306Q5A 1 FEATURES PRODUCT SUMMARY 2 Optimized for 5V Gate Drive VDS Drain to Source Voltage 30 V Ultralow Qg and Qgd Qg Gate Charge Total (4.5V) 11.8 nC Low Thermal Resistance Qgd Gate Charge Gate to Drain 2.4 nC Avalanche Rated VGS

 7.1. Size:883K  texas
 csd17302q5a.pdf pdf_icon

CSD17306Q5A

CSD17302Q5A www.ti.com SLPS216A FEBRUARY 2010 REVISED JULY 2010 30V, N-Channel NexFET Power MOSFETs Check for Samples CSD17302Q5A 1 FEATURES PRODUCT SUMMARY 2 Optimized for 5V Gate Drive VDS Drain to Source Voltage 30 V Ultralow Qg and Qgd Qg Gate Charge Total (4.5V) 5.4 nC Low Thermal Resistance Qgd Gate Charge Gate to Drain 1.2 nC Avalanche Rated VGS

 7.2. Size:884K  texas
 csd17305q5a.pdf pdf_icon

CSD17306Q5A

CSD17305Q5A www.ti.com SLPS254A FEBRUARY 2010 REVISED JULY 2010 30V, N-Channel NexFET Power MOSFETs Check for Samples CSD17305Q5A 1 FEATURES PRODUCT SUMMARY 2 Optimized for 5V Gate Drive VDS Drain to Source Voltage 30 V Ultralow Qg and Qgd Qg Gate Charge Total (4.5V) 14.1 nC Low Thermal Resistance Qgd Gate Charge Gate to Drain 3 nC Avalanche Rated VGS =

 7.3. Size:517K  texas
 csd17308q3.pdf pdf_icon

CSD17306Q5A

CSD17308Q3 www.ti.com SLPS262A FEBRUARY 2010 REVISED OCTOBER 2010 30V N-Channel NexFET Power MOSFETs Check for Samples CSD17308Q3 PRODUCT SUMMARY 1 FEATURES VDS Drain to Source Voltage 30 V 2 Optimized for 5V Gate Drive Qg Gate Charge Total (4.5V) 3.9 nC Ultra Low Qg and Qgd Qgd Gate Charge Gate to Drain 0.8 nC Low Thermal Resistance VGS = 3V 12.5 m

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CSD16415Q5, CSD16556Q5B, CSD16570Q5B, CSD17301Q5A, CSD17302Q5A, CSD17303Q5, CSD17304Q3, CSD17305Q5A, SPP20N60C3, CSD17307Q5A, CSD17308Q3, CSD17309Q3, CSD17310Q5A, CSD17311Q5, CSD17312Q5, CSD17313Q2, CSD17313Q2Q1