Справочник MOSFET. CSD17322Q5A

 

CSD17322Q5A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CSD17322Q5A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 390 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0088 Ohm
   Тип корпуса: SON5X6 SO-8
 

 Аналог (замена) для CSD17322Q5A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CSD17322Q5A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:825K  texas
csd17322q5a.pdfpdf_icon

CSD17322Q5A

CSD17322Q5Awww.ti.com SLPS330 JUNE 201130V, N-Channel NexFET Power MOSFETsCheck for Samples: CSD17322Q5A1FEATURESPRODUCT SUMMARY2 Optimized for 5V Gate DriveVDS Drain to Source Voltage 30 V Ultralow Qg and QgdQg Gate Charge Total (4.5V) 3.6 nC Low Thermal ResistanceQgd Gate Charge Gate to Drain 1.1 nC Avalanche RatedVGS = 4.5V 10 mRDS(on) Dra

 7.1. Size:826K  texas
csd17327q5a.pdfpdf_icon

CSD17322Q5A

CSD17327Q5Awww.ti.com SLPS332 JUNE 201130V, N-Channel NexFET Power MOSFETsCheck for Samples: CSD17327Q5APRODUCT SUMMARY1FEATURESVDS Drain to Source Voltage 30 V2 Ultralow Qg and QgdQg Gate Charge Total (4.5V) 2.8 nC Low Thermal ResistanceQgd Gate Charge Gate to Drain 0.8 nC Avalanche RatedVGS = 4.5V 12.5 mRDS(on) Drain to Source On Resistance

 8.1. Size:1122K  texas
csd17381f4.pdfpdf_icon

CSD17322Q5A

Sample & Support &Product Technical Tools &Buy CommunityFolder Documents SoftwareCSD17381F4SLPS411D APRIL 2013 REVISED OCTOBER 2014CSD17381F4 30 V N-Channel FemtoFET MOSFET1 FeaturesProduct Summary1 Ultra-Low On-ResistanceTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Ultra-Low Qg and QgdVDS Drain-to-Source Voltage 30 V Low Threshold VoltageQg Gate Charge Total (4

 8.2. Size:883K  texas
csd17302q5a.pdfpdf_icon

CSD17322Q5A

CSD17302Q5Awww.ti.com SLPS216A FEBRUARY 2010 REVISED JULY 201030V, N-Channel NexFET Power MOSFETsCheck for Samples: CSD17302Q5A1FEATURESPRODUCT SUMMARY2 Optimized for 5V Gate DriveVDS Drain to Source Voltage 30 V Ultralow Qg and QgdQg Gate Charge Total (4.5V) 5.4 nC Low Thermal ResistanceQgd Gate Charge Gate to Drain 1.2 nC Avalanche RatedVGS

Другие MOSFET... CSD17307Q5A , CSD17308Q3 , CSD17309Q3 , CSD17310Q5A , CSD17311Q5 , CSD17312Q5 , CSD17313Q2 , CSD17313Q2Q1 , IRLZ44N , CSD17327Q5A , CSD17381F4 , CSD17483F4 , CSD17484F4 , CSD17501Q5A , CSD17505Q5A , CSD17506Q5A , CSD17507Q5A .

History: OSG80R300KF | CS6N90W | PK615BMA | FDFS2P753AZ | KI2303DS | SSM4924GM | VBZE100N03

 

 
Back to Top

 


 
.