Справочник MOSFET. CSD17527Q5A

 

CSD17527Q5A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CSD17527Q5A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 2.8 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 8.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 286 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0108 Ohm
   Тип корпуса: SON5X6 SO-8
 

 Аналог (замена) для CSD17527Q5A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CSD17527Q5A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:896K  texas
csd17527q5a.pdfpdf_icon

CSD17527Q5A

CSD17527Q5Awww.ti.com SLPS331A JUNE 2011REVISED AUGUST 201130V, N-Channel NexFET Power MOSFETsCheck for Samples: CSD17527Q5APRODUCT SUMMARY1FEATURESVDS Drain to Source Voltage 30 V2 Ultralow Qg and QgdQg Gate Charge Total (4.5V) 2.8 nC Low Thermal ResistanceQgd Gate Charge Gate to Drain 0.8 nC Avalanche RatedVGS = 4.5V 12.5 mRDS(on) Drain to So

 7.1. Size:843K  texas
csd17522q5a.pdfpdf_icon

CSD17527Q5A

CSD17522Q5Awww.ti.com SLPS341A JUNE 2011REVISED AUGUST 201130V, N-Channel NexFET Power MOSFETsCheck for Samples: CSD17522Q5A1FEATURESPRODUCT SUMMARY2 Optimized for 5V Gate DriveVDS Drain to Source Voltage 30 V Ultralow Qg and QgdQg Gate Charge Total (4.5V) 3.6 nC Low Thermal ResistanceQgd Gate Charge Gate to Drain 1.1 nCVGS = 4.5V 10 m Avala

 8.1. Size:863K  texas
csd17510q5a.pdfpdf_icon

CSD17527Q5A

CSD17510Q5Awww.ti.com SLPS271G JULY 2010 REVISED SEPTEMBER 201230V, N-Channel NexFET Power MOSFETsCheck for Samples: CSD17510Q5APRODUCT SUMMARY1FEATURESVDS Drain to Source Voltage 30 V2 Ultralow Qg and QgdQg Gate Charge Total (4.5V) 6.4 nC Low Thermal ResistanceQgd Gate Charge Gate to Drain 1.9 nC Avalanche RatedVGS = 4.5V 5.4 mRDS(on) Drain t

 8.2. Size:1379K  texas
csd17556q5b.pdfpdf_icon

CSD17527Q5A

Sample & Support &Product Technical Tools &Buy CommunityFolder Documents SoftwareCSD17556Q5BSLPS392B MARCH 2013REVISED OCTOBER 2014CSD17556Q5B 30 V N-Channel NexFET Power MOSFET1 FeaturesProduct Summary1 Extremely Low ResistanceTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Ultra-Low Qg and QgdVDS Drain-to-Source Voltage 30 V Low Thermal ResistanceQg Gate Charge

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.