CSD17552Q3A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CSD17552Q3A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 385 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: SON3.3X3.3

Аналог (замена) для CSD17552Q3A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CSD17552Q3A даташит

 ..1. Size:1278K  texas
csd17552q3a.pdfpdf_icon

CSD17552Q3A

Sample & Support & Product Technical Tools & Buy Community Folder Documents Software CSD17552Q3A SLPS387A SEPTEMBER 2012 REVISED JUNE 2014 CSD17552Q3A 30V N-Channel NexFET Power MOSFETs 1 Features Product Summary 1 Ultra-Low Qg and Qgd TA = 25 C TYPICAL VALUE UNIT Low Thermal Resistance VDS Drain-to-Source Voltage 30 V Avalanche Rated Qg Gate Charge Total

 5.1. Size:739K  texas
csd17552q5a.pdfpdf_icon

CSD17552Q3A

CSD17552Q5A www.ti.com SLPS428 NOVEMBER 2012 30-V, N-Channel NexFET Power MOSFETs Check for Samples CSD17552Q5A 1 FEATURES PRODUCT SUMMARY Ultra Low Qg and Qgd VDS Drain to Source Voltage 30 V Low Thermal Resistance Qg Gate Charge Total (4.5V) 9.0 nC Avalanche Rated Qgd Gate Charge Gate to Drain 2.0 nC VGS = 4.5V 6.1 m Pb Free Terminal Plating RDS(on) Dr

 7.1. Size:1379K  texas
csd17556q5b.pdfpdf_icon

CSD17552Q3A

Sample & Support & Product Technical Tools & Buy Community Folder Documents Software CSD17556Q5B SLPS392B MARCH 2013 REVISED OCTOBER 2014 CSD17556Q5B 30 V N-Channel NexFET Power MOSFET 1 Features Product Summary 1 Extremely Low Resistance TA = 25 C TYPICAL VALUE UNIT Ultra-Low Qg and Qgd VDS Drain-to-Source Voltage 30 V Low Thermal Resistance Qg Gate Charge

 7.2. Size:1256K  texas
csd17551q5a.pdfpdf_icon

CSD17552Q3A

CSD17551Q5A www.ti.com SLPS375 MAY 2012 30V, N-Channel NexFET Power MOSFETs Check for Samples CSD17551Q5A 1 FEATURES PRODUCT SUMMARY Ultra Low Qg and Qgd VDS Drain to Source Voltage 30 V Low Thermal Resistance Qg Gate Charge Total (4.5V) 6.0 nC Avalanche Rated Qgd Gate Charge Gate to Drain 1.4 nC VGS = 4.5V 9 m Pb Free Terminal Plating RDS(on) Drain to S

Другие IGBT... CSD17505Q5A, CSD17506Q5A, CSD17507Q5A, CSD17510Q5A, CSD17522Q5A, CSD17527Q5A, CSD17551Q3A, CSD17551Q5A, 10N65, CSD17552Q5A, CSD17553Q5A, CSD17555Q5A, CSD17556Q5B, CSD17559Q5, CSD17570Q5B, CSD17571Q2, CSD17573Q5B