CSD17570Q5B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: CSD17570Q5B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.9 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 53 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 93 nC
trⓘ - Время нарастания: 36 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1450 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00069 Ohm
Тип корпуса: SON5X6
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
CSD17570Q5B Datasheet (PDF)
csd17570q5b.pdf

Sample & Support &Product Technical Tools &Buy CommunityFolder Documents SoftwareCSD17570Q5BSLPS471C FEBRUARY 2014 REVISED FEBRUARY 2015CSD17570Q5B 30 V N-Channel NexFET Power MOSFET1 FeaturesProduct Summary1 Ultra-Low ResistanceTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Low Thermal ResistanceVDS Drain-to-Source Voltage 30 V Avalanche RatedQg Gate Charge Tot
csd17579q3a.pdf

Sample & Support &Product Technical Tools &Buy CommunityFolder Documents SoftwareCSD17579Q3ASLPS527 SEPTEMBER 2014CSD17579Q3A 30 V N-Channel NexFET Power MOSFETs1 FeaturesProduct Summary1 Low Qg and QgdTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Low RDS(on)VDS Drain-to-Source Voltage 30 V Low Thermal ResistanceQg Gate Charge Total (4.5 V) 5.3 nC Avalanche Rat
csd17573q5b.pdf

Sample & Support &Product Technical Tools &Buy CommunityFolder Documents SoftwareCSD17573Q5BSLPS492A JUNE 2014 REVISED FEBRUARY 2015CSD17573Q5B 30 V N-Channel NexFET Power MOSFETs1 FeaturesProduct Summary1 Low Qg and QgdTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Ultra-Low RDS(on)VDS Drain-to-Source Voltage 30 V Low Thermal ResistanceQg Gate Charge Total (4.5 V
csd17575q3.pdf

Sample & Support &Product Technical Tools &Buy CommunityFolder Documents SoftwareCSD17575Q3SLPS489A JUNE 2014 REVISED AUGUST 2014CSD17575Q3 30-V N-Channel NexFET Power MOSFET1 FeaturesProduct Summary1 Low Qg and QgdTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Low RDS(on)VDS Drain-to-Source Voltage 30 V Low Thermal ResistanceQg Gate Charge Total (4.5V) 23 nC
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: 3SK139P
History: 3SK139P



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
Popular searches
2sa1106 | 2sb56 | 2sc1451 datasheet | 2sc373 | a1023 datasheet | 2sc1080 | 2sb618 | 2sc1328