CSD17579Q5A - аналоги, параметры транзистора - Справочник транзисторов

CSD17579Q5A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CSD17579Q5A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0097 Ohm

Тип корпуса: SON5X6

Аналог (замена) для CSD17579Q5A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

CSD17579Q5A даташит

..1. Size:887K texas
csd17579q5a.pdf pdf_icon

Sample & Support & Product Technical Tools & Buy Community Folder Documents Software CSD17579Q5A SLPS524 MARCH 2015 CSD17579Q5A 30 V N-Channel NexFET Power MOSFETs 1 Features Product Summary 1 Low Qg and Qgd TA = 25 C TYPICAL VALUE UNIT Low RDS(on) VDS Drain-to-Source Voltage 30 V Low Thermal Resistance Qg Gate Charge Total (4.5 V) 5.4 nC Avalanche Rated

5.1. Size:1198K texas
csd17579q3a.pdf pdf_icon

Sample & Support & Product Technical Tools & Buy Community Folder Documents Software CSD17579Q3A SLPS527 SEPTEMBER 2014 CSD17579Q3A 30 V N-Channel NexFET Power MOSFETs 1 Features Product Summary 1 Low Qg and Qgd TA = 25 C TYPICAL VALUE UNIT Low RDS(on) VDS Drain-to-Source Voltage 30 V Low Thermal Resistance Qg Gate Charge Total (4.5 V) 5.3 nC Avalanche Rat

7.1. Size:1000K texas
csd17573q5b.pdf pdf_icon

Sample & Support & Product Technical Tools & Buy Community Folder Documents Software CSD17573Q5B SLPS492A JUNE 2014 REVISED FEBRUARY 2015 CSD17573Q5B 30 V N-Channel NexFET Power MOSFETs 1 Features Product Summary 1 Low Qg and Qgd TA = 25 C TYPICAL VALUE UNIT Ultra-Low RDS(on) VDS Drain-to-Source Voltage 30 V Low Thermal Resistance Qg Gate Charge Total (4.5 V

7.2. Size:986K texas
csd17575q3.pdf pdf_icon