CSD17579Q5A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: CSD17579Q5A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 5.4 nC
trⓘ - Время нарастания: 7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0097 Ohm
Тип корпуса: SON5X6
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
CSD17579Q5A Datasheet (PDF)
csd17579q5a.pdf

Sample & Support &Product Technical Tools &Buy CommunityFolder Documents SoftwareCSD17579Q5ASLPS524 MARCH 2015CSD17579Q5A 30 V N-Channel NexFET Power MOSFETs1 FeaturesProduct Summary1 Low Qg and QgdTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Low RDS(on)VDS Drain-to-Source Voltage 30 V Low Thermal ResistanceQg Gate Charge Total (4.5 V) 5.4 nC Avalanche Rated
csd17579q3a.pdf

Sample & Support &Product Technical Tools &Buy CommunityFolder Documents SoftwareCSD17579Q3ASLPS527 SEPTEMBER 2014CSD17579Q3A 30 V N-Channel NexFET Power MOSFETs1 FeaturesProduct Summary1 Low Qg and QgdTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Low RDS(on)VDS Drain-to-Source Voltage 30 V Low Thermal ResistanceQg Gate Charge Total (4.5 V) 5.3 nC Avalanche Rat
csd17573q5b.pdf

Sample & Support &Product Technical Tools &Buy CommunityFolder Documents SoftwareCSD17573Q5BSLPS492A JUNE 2014 REVISED FEBRUARY 2015CSD17573Q5B 30 V N-Channel NexFET Power MOSFETs1 FeaturesProduct Summary1 Low Qg and QgdTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Ultra-Low RDS(on)VDS Drain-to-Source Voltage 30 V Low Thermal ResistanceQg Gate Charge Total (4.5 V
csd17575q3.pdf

Sample & Support &Product Technical Tools &Buy CommunityFolder Documents SoftwareCSD17575Q3SLPS489A JUNE 2014 REVISED AUGUST 2014CSD17575Q3 30-V N-Channel NexFET Power MOSFET1 FeaturesProduct Summary1 Low Qg and QgdTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Low RDS(on)VDS Drain-to-Source Voltage 30 V Low Thermal ResistanceQg Gate Charge Total (4.5V) 23 nC
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DHS022N06E | DHS022N06 | DHS021N04P | DHS021N04E | DHS021N04D | DHS021N04B | DHS021N04 | DHS020N88U | DHS020N88I | DHS020N88E | DHS020N88 | DHS020N04P | DHS020N04I | DHS020N04F | DHS020N04E | DHS020N04D
Popular searches
a1633 transistor | 2sa844 | 2sc1327 | 2sc3855 | 2sc945 transistor equivalent | 2sd427 | mje15032 equivalent | 2sc4834