2N6758JAN - аналоги и даташиты транзистора

 

2N6758JAN - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: 2N6758JAN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO3
 

 Аналог (замена) для 2N6758JAN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2N6758JAN Datasheet (PDF)

 8.1. Size:147K  international rectifier
 2n6758 irf230.pdf pdf_icon

2N6758JAN

PD - 90334F IRF230REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6758HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6758THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF:MIL-PRF-19500/542]200V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRF230 200V 0.40 9.0ATO-3The HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique

 8.2. Size:141K  fairchild semi
 2n6757 2n6758.pdf pdf_icon

2N6758JAN

 9.1. Size:147K  international rectifier
 2n6756 irf130.pdf pdf_icon

2N6758JAN

PD - 90333FIRF130REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6756HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6756THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF:MIL-PRF-19500/542]100V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRF130 100V 0.18 14AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique process

 9.2. Size:136K  fairchild semi
 2n6755 2n6756.pdf pdf_icon

2N6758JAN

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 2N6756 , 2N6756JAN , 2N6756JANTX , 2N6756JANTXV , 2N6756JTX , 2N6756JTXV , 2N6757 , 2N6758 , K4145 , 2N6758JANTX , 2N6758JANTXV , 2N6758JTX , 2N6758JTXV , 2N6759 , 2N6760 , 2N6760JAN , 2N6760JANTX .

 

 
Back to Top

 


 
.