CSD19503KCS. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: CSD19503KCS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 188 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 94 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.4 V
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 28 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 555 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0092 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для CSD19503KCS
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
CSD19503KCS даташит
csd19503kcs.pdf
Sample & Support & Product Technical Tools & Buy Community Folder Documents Software CSD19503KCS SLPS479A DECEMBER 2013 REVISED AUGUST 2014 CSD19503KCS 80-V N-Channel NexFET Power MOSFET 1 Features Product Summary 1 Ultra-Low Qg and Qgd TA = 25 C TYPICAL VALUE UNIT Low Thermal Resistance VDS Drain-to-Source Voltage 80 V Avalanche Rated Qg Gate Charge Total
csd19505kcs.pdf
Sample & Support & Product Technical Tools & Buy Community Folder Documents Software CSD19505KCS SLPS480B JANUARY 2014 REVISED OCTOBER 2014 CSD19505KCS 80 V N-Channel NexFET Power MOSFET 1 Features Product Summary 1 Ultra-Low Qg and Qgd TA = 25 C TYPICAL VALUE UNIT Low Thermal Resistance VDS Drain-to-Source Voltage 80 V Avalanche Rated Qg Gate Charge Total
csd19501kcs.pdf
Sample & Support & Product Technical Tools & Buy Community Folder Documents Software CSD19501KCS SLPS478A JANUARY 2014 REVISED AUGUST 2014 CSD19501KCS 80-V N-Channel NexFET Power MOSFET 1 Features Product Summary 1 Ultra-Low Qg and Qgd TA = 25 C TYPICAL VALUE UNIT Low Thermal Resistance VDS Drain-to-Source Voltage 80 V Avalanche Rated Qg Gate Charge Total (
csd19505kcs.pdf
Sample & Support & Product Technical Tools & Buy Community Folder Documents Software CSD19505KCS SLPS480B JANUARY 2014 REVISED OCTOBER 2014 CSD19505KCS 80 V N-Channel NexFET Power MOSFET 1 Features Product Summary 1 Ultra-Low Qg and Qgd TA = 25 C TYPICAL VALUE UNIT Low Thermal Resistance VDS Drain-to-Source Voltage 80 V Avalanche Rated Qg Gate Charge Total
Другие MOSFET... CSD18536KCS , CSD18537NKCS , CSD18537NQ5A , CSD18540Q5B , CSD18542KCS , CSD18563Q5A , CSD19501KCS , CSD19502Q5B , IRF540N , CSD19505KCS , CSD19506KCS , CSD19531KCS , CSD19531Q5A , CSD19532KTT , CSD19532Q5B , CSD19533KCS , CSD19533Q5A .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOSS62934 | AOSN21319C | AONS66966 | AONR62992 | AON7400B | AON6578 | AO3480C | AO3400C | HAF1008S | HAF1008L | EMZB08P03H | CS30N20FA9R | AOT66613L | AOSP21313C | AOSP21311C | AOB66918L
Popular searches
bc640 | 2sc756 | oc44 transistor datasheet | 2sa1210 | 2sc3792 | mps2907a transistor equivalent | 2sc1626 | b560 transistor






