CSD19532KTT - описание и поиск аналогов

 

CSD19532KTT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CSD19532KTT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 136 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.2 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 44 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 674 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0056 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для CSD19532KTT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CSD19532KTT даташит

 ..1. Size:367K  texas
csd19532ktt.pdfpdf_icon

CSD19532KTT

Sample & Support & Product Technical Tools & Buy Community Folder Documents Software CSD19532KTT SLPS553 OCTOBER 2015 CSD19532KTT 100 V N-Channel NexFET Power MOSFET 1 Features Product Summary 1 Ultra-Low Qg and Qgd TA = 25 C TYPICAL VALUE UNIT Low Thermal Resistance VDS Drain-to-Source Voltage 100 V Avalanche Rated Qg Gate Charge Total (10 V) 44 nC Pb-Fr

 6.1. Size:1376K  texas
csd19532q5b.pdfpdf_icon

CSD19532KTT

Sample & Support & Product Technical Tools & Buy Community Folder Documents Software CSD19532Q5B SLPS414A DECEMBER 2013 REVISED JUNE 2014 CSD19532Q5B 100 V N-Channel NexFET Power MOSFET 1 Features Product Summary 1 Low Qg and Qgd TA = 25 C TYPICAL VALUE UNIT Low Thermal Resistance VDS Drain-to-Source Voltage 100 V Avalanche Rated Qg Gate Charge Total (10 V)

 7.1. Size:404K  texas
csd19536kcs.pdfpdf_icon

CSD19532KTT

Sample & Support & Product Technical Tools & Buy Community Folder Documents Software CSD19536KCS SLPS485B JANUARY 2014 REVISED OCTOBER 2014 CSD19536KCS 100 V N-Channel NexFET Power MOSFET 1 Features Product Summary 1 Ultra-Low Qg and Qgd TA = 25 C TYPICAL VALUE UNIT Low Thermal Resistance VDS Drain-to-Source Voltage 100 V Avalanche Rated Qg Gate Charge Tota

 7.2. Size:1281K  texas
csd19531q5a.pdfpdf_icon

CSD19532KTT

Sample & Support & Product Technical Tools & Buy Community Folder Documents Software CSD19531Q5A SLPS406B SEPTEMBER 2013 REVISED MAY 2014 CSD19531Q5A 100 V N-Channel NexFET Power MOSFETs 1 Features Product Summary 1 Ultra-Low Qg and Qgd TA = 25 C TYPICAL VALUE UNIT Low Thermal Resistance VDS Drain-to-Source Voltage 100 V Avalanche Rated Qg Gate Charge Total

Другие MOSFET... CSD18563Q5A , CSD19501KCS , CSD19502Q5B , CSD19503KCS , CSD19505KCS , CSD19506KCS , CSD19531KCS , CSD19531Q5A , IRF640 , CSD19532Q5B , CSD19533KCS , CSD19533Q5A , CSD19534KCS , CSD19534Q5A , CSD19535KCS , CSD19535KTT , CSD19536KCS .

History: ZVN4310A

 

 

 


 
↑ Back to Top
.