Справочник MOSFET. CSD19532KTT

 

CSD19532KTT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CSD19532KTT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 136 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 44 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 674 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0056 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для CSD19532KTT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CSD19532KTT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:367K  texas
csd19532ktt.pdfpdf_icon

CSD19532KTT

Sample & Support &Product Technical Tools &Buy CommunityFolder Documents SoftwareCSD19532KTTSLPS553 OCTOBER 2015CSD19532KTT 100 V N-Channel NexFET Power MOSFET1 FeaturesProduct Summary1 Ultra-Low Qg and QgdTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Low Thermal ResistanceVDS Drain-to-Source Voltage 100 V Avalanche RatedQg Gate Charge Total (10 V) 44 nC Pb-Fr

 6.1. Size:1376K  texas
csd19532q5b.pdfpdf_icon

CSD19532KTT

Sample & Support &Product Technical Tools &Buy CommunityFolder Documents SoftwareCSD19532Q5BSLPS414A DECEMBER 2013 REVISED JUNE 2014CSD19532Q5B 100 V N-Channel NexFET Power MOSFET1 FeaturesProduct Summary1 Low Qg and QgdTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Low Thermal ResistanceVDS Drain-to-Source Voltage 100 V Avalanche RatedQg Gate Charge Total (10 V)

 7.1. Size:404K  texas
csd19536kcs.pdfpdf_icon

CSD19532KTT

Sample & Support &Product Technical Tools &Buy CommunityFolder Documents SoftwareCSD19536KCSSLPS485B JANUARY 2014 REVISED OCTOBER 2014CSD19536KCS 100 V N-Channel NexFET Power MOSFET1 FeaturesProduct Summary1 Ultra-Low Qg and QgdTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Low Thermal ResistanceVDS Drain-to-Source Voltage 100 V Avalanche RatedQg Gate Charge Tota

 7.2. Size:1281K  texas
csd19531q5a.pdfpdf_icon

CSD19532KTT

Sample & Support &Product Technical Tools &Buy CommunityFolder Documents SoftwareCSD19531Q5ASLPS406B SEPTEMBER 2013 REVISED MAY 2014CSD19531Q5A 100 V N-Channel NexFET Power MOSFETs1 FeaturesProduct Summary1 Ultra-Low Qg and QgdTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Low Thermal ResistanceVDS Drain-to-Source Voltage 100 V Avalanche RatedQg Gate Charge Total

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.