CSD19533Q5A - описание и поиск аналогов

 

CSD19533Q5A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CSD19533Q5A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 27 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 395 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0094 Ohm

Тип корпуса: SON5X6

Аналог (замена) для CSD19533Q5A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CSD19533Q5A даташит

 ..1. Size:1312K  texas
csd19533q5a.pdfpdf_icon

CSD19533Q5A

Sample & Support & Product Technical Tools & Buy Community Folder Documents Software CSD19533Q5A SLPS486A DECEMBER 2013 REVISED MAY 2014 CSD19533Q5A 100 V N-Channel NexFET Power MOSFET 1 Features Product Summary 1 Ultra-Low Qg and Qgd TA = 25 C TYPICAL VALUE UNIT Low Thermal Resistance VDS Drain-to-Source Voltage 100 V Avalanche Rated Qg Gate Charge Total (1

 6.1. Size:685K  texas
csd19533kcs.pdfpdf_icon

CSD19533Q5A

Sample & Support & Product Technical Tools & Buy Community Folder Documents Software CSD19533KCS SLPS482B DECEMBER 2013 REVISED JANUARY 2015 CSD19533KCS, 100 V N-Channel NexFET Power MOSFET 1 Features Product Summary 1 Ultra-Low Qg and Qgd TA = 25 C TYPICAL VALUE UNIT Low Thermal Resistance VDS Drain-to-Source Voltage 100 V Avalanche Rated Qg Gate Charge Tot

 7.1. Size:404K  texas
csd19536kcs.pdfpdf_icon

CSD19533Q5A

Sample & Support & Product Technical Tools & Buy Community Folder Documents Software CSD19536KCS SLPS485B JANUARY 2014 REVISED OCTOBER 2014 CSD19536KCS 100 V N-Channel NexFET Power MOSFET 1 Features Product Summary 1 Ultra-Low Qg and Qgd TA = 25 C TYPICAL VALUE UNIT Low Thermal Resistance VDS Drain-to-Source Voltage 100 V Avalanche Rated Qg Gate Charge Tota

 7.2. Size:1281K  texas
csd19531q5a.pdfpdf_icon

CSD19533Q5A

Sample & Support & Product Technical Tools & Buy Community Folder Documents Software CSD19531Q5A SLPS406B SEPTEMBER 2013 REVISED MAY 2014 CSD19531Q5A 100 V N-Channel NexFET Power MOSFETs 1 Features Product Summary 1 Ultra-Low Qg and Qgd TA = 25 C TYPICAL VALUE UNIT Low Thermal Resistance VDS Drain-to-Source Voltage 100 V Avalanche Rated Qg Gate Charge Total

Другие MOSFET... CSD19503KCS , CSD19505KCS , CSD19506KCS , CSD19531KCS , CSD19531Q5A , CSD19532KTT , CSD19532Q5B , CSD19533KCS , IRFB4110 , CSD19534KCS , CSD19534Q5A , CSD19535KCS , CSD19535KTT , CSD19536KCS , CSD19536KTT , CSD19537Q3 , CSD22202W15 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.