Справочник MOSFET. CSD19535KTT

 

CSD19535KTT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CSD19535KTT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 197 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1160 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0034 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CSD19535KTT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:875K  texas
csd19535ktt.pdfpdf_icon

CSD19535KTT

Sample & Support &Product Technical Tools &Buy CommunityFolder Documents SoftwareCSD19535KTTSLPS539A MARCH 2015 REVISED MAY 2015CSD19535KTT 100 V N-Channel NexFET Power MOSFET1 FeaturesProduct Summary1 Ultra-Low Qg and QgdTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Low Thermal ResistanceVDS Drain-to-Source Voltage 100 V Avalanche RatedQg Gate Charge Total (10 V

 5.1. Size:736K  texas
csd19535kcs.pdfpdf_icon

CSD19535KTT

Sample & Support &Product Technical Tools &Buy CommunityFolder Documents SoftwareCSD19535KCSSLPS484B JANUARY 2014 REVISED OCTOBER 2014CSD19535KCS 100 V N-Channel NexFET Power MOSFET1 FeaturesProduct Summary1 Ultra-Low Qg and QgdTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Low Thermal ResistanceVDS Drain-to-Source Voltage 100 V Avalanche RatedQg Gate Charge Tota

 7.1. Size:404K  texas
csd19536kcs.pdfpdf_icon

CSD19535KTT

Sample & Support &Product Technical Tools &Buy CommunityFolder Documents SoftwareCSD19536KCSSLPS485B JANUARY 2014 REVISED OCTOBER 2014CSD19536KCS 100 V N-Channel NexFET Power MOSFET1 FeaturesProduct Summary1 Ultra-Low Qg and QgdTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Low Thermal ResistanceVDS Drain-to-Source Voltage 100 V Avalanche RatedQg Gate Charge Tota

 7.2. Size:1281K  texas
csd19531q5a.pdfpdf_icon

CSD19535KTT

Sample & Support &Product Technical Tools &Buy CommunityFolder Documents SoftwareCSD19531Q5ASLPS406B SEPTEMBER 2013 REVISED MAY 2014CSD19531Q5A 100 V N-Channel NexFET Power MOSFETs1 FeaturesProduct Summary1 Ultra-Low Qg and QgdTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Low Thermal ResistanceVDS Drain-to-Source Voltage 100 V Avalanche RatedQg Gate Charge Total

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: SGM3055 | WSF20P03 | IPI80CN10NG | TTP105N08A | NCE0250D | QS8M51

 

 
Back to Top

 


 
.