NDT410EL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NDT410EL  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm

Тип корпуса: SOT223

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для NDT410EL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NDT410EL даташит

No data!

Другие IGBT... NDS9956A, NDS9957, NDS9959, NDT014, NDT014L, NDT2955, NDT3055, NDT3055L, IRF840, NDT451AN, NDT451N, NDT452AP, NDT452P, NDT453N, NDT454P, NDT455N, NDT456P