CSD25302Q2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: CSD25302Q2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.9 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 2.6 nC
trⓘ - Время нарастания: 13.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.049 Ohm
Тип корпуса: SON2X2
Аналог (замена) для CSD25302Q2
CSD25302Q2 Datasheet (PDF)
csd25302q2.pdf
CSD25302Q2www.ti.com SLPS234B NOVEMBER 2009REVISED JANUARY 2012P-Channel NexFET Power MOSFET1FEATURESPRODUCT SUMMARY Ultralow Qg and QgdVDS Drain to Source Voltage 20 V Low Thermal ResistanceQg Gate Charge Total (4.5V) 2.6 nC Avalanche RatedQgd Gate Charge Gate to Drain 0.5 nCVGS = 1.8V 71 m Pb Free Terminal PlatingRDS(on) Drain to So
csd25303w1015.pdf
CSD25303W1015www.ti.com SLPS292 JANUARY 2011P-Channel NexFET Power MOSFETCheck for Samples: CSD25303W10151FEATURESPRODUCT SUMMARY Ultra Low Qg and QgdTA = 25C unless otherwise stated TYPICAL VALUE UNIT Small FootprintVDS Drain to Source Voltage 20 V Low Profile 0.62mm HeightQg Gate Charge Total (4.5V) 3.3 nC Pb FreeQgd Gate Charge Gate to Drain
csd25304w1015.pdf
Sample & Support &Product Technical Tools &Buy CommunityFolder Documents SoftwareCSD25304W1015SLPS510A JULY 2014 REVISED AUGUST 2014CSD25304W1015 20-V P-Channel NexFET Power MOSFET1 FeaturesProduct Summary1 Ultra-Low Qg and QgdTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Small FootprintVDS Drain-to-Source Voltage 20 V Low Profile 0.62 mm HeightQg Gate Charge
csd25301w1015.pdf
P-Channel CICLON NexFET Power MOSFETs CSD25301W1015 Product Summary Features D DD DD D Ultra Low Qg & Qgd VDS -20 VQg 2.0 nC Small Footprint S SS SS SQgd 0.32 nC Low Profile 0.65mm height VGS= -1.5V 175 m RDS(on) S GS GS G VGS=-2.5V 80 m Pb Free VGS=-4.5V 62 m RoHS Compliant CSP 1.0 x 1.5 mm Wafer Vth -0.75 VTop Vi
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918