Справочник MOSFET. CSD25303W1015

 

CSD25303W1015 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CSD25303W1015
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 3.3 nC
   trⓘ - Время нарастания: 8.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 149 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.058 Ohm
   Тип корпуса: WLP1.0X1.5

 Аналог (замена) для CSD25303W1015

 

 

CSD25303W1015 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:214K  texas
 csd25303w1015.pdf

CSD25303W1015 CSD25303W1015

CSD25303W1015www.ti.com SLPS292 JANUARY 2011P-Channel NexFET Power MOSFETCheck for Samples: CSD25303W10151FEATURESPRODUCT SUMMARY Ultra Low Qg and QgdTA = 25C unless otherwise stated TYPICAL VALUE UNIT Small FootprintVDS Drain to Source Voltage 20 V Low Profile 0.62mm HeightQg Gate Charge Total (4.5V) 3.3 nC Pb FreeQgd Gate Charge Gate to Drain

 7.1. Size:133K  texas
 csd25302q2.pdf

CSD25303W1015 CSD25303W1015

CSD25302Q2www.ti.com SLPS234B NOVEMBER 2009REVISED JANUARY 2012P-Channel NexFET Power MOSFET1FEATURESPRODUCT SUMMARY Ultralow Qg and QgdVDS Drain to Source Voltage 20 V Low Thermal ResistanceQg Gate Charge Total (4.5V) 2.6 nC Avalanche RatedQgd Gate Charge Gate to Drain 0.5 nCVGS = 1.8V 71 m Pb Free Terminal PlatingRDS(on) Drain to So

 7.2. Size:1090K  texas
 csd25304w1015.pdf

CSD25303W1015 CSD25303W1015

Sample & Support &Product Technical Tools &Buy CommunityFolder Documents SoftwareCSD25304W1015SLPS510A JULY 2014 REVISED AUGUST 2014CSD25304W1015 20-V P-Channel NexFET Power MOSFET1 FeaturesProduct Summary1 Ultra-Low Qg and QgdTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Small FootprintVDS Drain-to-Source Voltage 20 V Low Profile 0.62 mm HeightQg Gate Charge

 7.3. Size:515K  ciclon
 csd25301w1015.pdf

CSD25303W1015 CSD25303W1015

P-Channel CICLON NexFET Power MOSFETs CSD25301W1015 Product Summary Features D DD DD D Ultra Low Qg & Qgd VDS -20 VQg 2.0 nC Small Footprint S SS SS SQgd 0.32 nC Low Profile 0.65mm height VGS= -1.5V 175 m RDS(on) S GS GS G VGS=-2.5V 80 m Pb Free VGS=-4.5V 62 m RoHS Compliant CSP 1.0 x 1.5 mm Wafer Vth -0.75 VTop Vi

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top