Справочник MOSFET. CSD25481F4

 

CSD25481F4 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CSD25481F4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 913 nC
   trⓘ - Время нарастания: 3.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 78 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.088 Ohm
   Тип корпуса: PICOSTAR

 Аналог (замена) для CSD25481F4

 

 

CSD25481F4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1338K  texas
 csd25481f4.pdf

CSD25481F4 CSD25481F4

Sample & Support &Product Technical Tools &Buy CommunityFolder Documents SoftwareCSD25481F4SLPS420D SEPTEMBER 2013 REVISED OCTOBER 2014CSD25481F4 20 V P-Channel FemtoFET MOSFET1 FeaturesProduct Summary1 Ultra-Low On ResistanceTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Ultra-Low Qg and QgdVDS Drain-to-Source Voltage 20 V High Operating Drain CurrentQg Gate

 7.1. Size:1337K  texas
 csd25483f4.pdf

CSD25481F4 CSD25481F4

Sample & Support &Product Technical Tools &Buy CommunityFolder Documents SoftwareCSD25483F4SLPS449D OCTOBER 2013 REVISED OCTOBER 2014CSD25483F4 20 V P-Channel FemtoFET MOSFET1 FeaturesProduct Summary1 Ultra-Low On-ResistanceTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Ultra-Low Qg and QgdVDS Drain-to-Source Voltage 20 V High Operating Drain CurrentQg Gate C

 7.2. Size:1111K  texas
 csd25484f4.pdf

CSD25481F4 CSD25481F4

Sample & Support &Product Technical Tools &Buy CommunityFolder Documents SoftwareCSD25484F4SLPS551 MAY 2015CSD25484F4 20 V P-Channel FemtoFET MOSFET1 FeaturesProduct Summary1 Low On ResistanceTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Ultra-Low Qg and QgdVDS Drain-to-Source Voltage 20 V Low Threshold VoltageQg Gate Charge Total (4.5 V) 1090 pC Ultr

 8.1. Size:400K  texas
 csd25404q3.pdf

CSD25481F4 CSD25481F4

Sample & Support &Product Technical Tools &Buy CommunityFolder Documents SoftwareCSD25404Q3SLPS570 NOVEMBER 2015CSD25404Q3 20 V P-Channel NexFET Power MOSFET1 FeaturesProduct Summary1 Ultra-Low Qg and QgdTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Low Thermal ResistanceVDS Drain-to-source voltage 20 V Low RDS(on)Qg Gate charge total (4.5 V) 10.9 nC

 8.2. Size:995K  texas
 csd25402q3a.pdf

CSD25481F4 CSD25481F4

Sample & Support &Product Technical Tools &Buy CommunityFolder Documents SoftwareCSD25402Q3ASLPS454A DECEMBER 2013 REVISED JULY 2015CSD25402Q3A 20 V P-Channel NexFET Power MOSFET1 FeaturesProduct Summary1 Ultra-Low Qg and QgdTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Low Thermal ResistanceVDS Drain-to-source voltage 20 V Low RDS(on)Qg Gate charge total (

 8.3. Size:475K  ciclon
 csd25401q3.pdf

CSD25481F4 CSD25481F4

P-Channel CICLON NexFET Power MOSFETs CSD25401Q3 Product Summary Features Ultra Low Qg & Qgd VDS -20 VQg 8.8 nC Low Thermal Resistance D 1 8 S1 8G SQgd 2.1 nCD SD 2 7 S2 7 Low Rdson SD VGS = -2.5V 13.5 m SD 3 6 S3 6 D RDS(on) SVGS = -4.5V 8.7 m Pb Free Terminal Plating DG 4 5G 4 5 SVth -0.85 V RoHS Compliant

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top