CSD25483F4 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: CSD25483F4
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.2 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 959 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 3.7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 82 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.205 Ohm
Тип корпуса: PICOSTAR
Аналог (замена) для CSD25483F4
CSD25483F4 Datasheet (PDF)
csd25483f4.pdf

Sample & Support &Product Technical Tools &Buy CommunityFolder Documents SoftwareCSD25483F4SLPS449D OCTOBER 2013 REVISED OCTOBER 2014CSD25483F4 20 V P-Channel FemtoFET MOSFET1 FeaturesProduct Summary1 Ultra-Low On-ResistanceTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Ultra-Low Qg and QgdVDS Drain-to-Source Voltage 20 V High Operating Drain CurrentQg Gate C
csd25481f4.pdf

Sample & Support &Product Technical Tools &Buy CommunityFolder Documents SoftwareCSD25481F4SLPS420D SEPTEMBER 2013 REVISED OCTOBER 2014CSD25481F4 20 V P-Channel FemtoFET MOSFET1 FeaturesProduct Summary1 Ultra-Low On ResistanceTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Ultra-Low Qg and QgdVDS Drain-to-Source Voltage 20 V High Operating Drain CurrentQg Gate
csd25484f4.pdf

Sample & Support &Product Technical Tools &Buy CommunityFolder Documents SoftwareCSD25484F4SLPS551 MAY 2015CSD25484F4 20 V P-Channel FemtoFET MOSFET1 FeaturesProduct Summary1 Low On ResistanceTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Ultra-Low Qg and QgdVDS Drain-to-Source Voltage 20 V Low Threshold VoltageQg Gate Charge Total (4.5 V) 1090 pC Ultr
csd25404q3.pdf

Sample & Support &Product Technical Tools &Buy CommunityFolder Documents SoftwareCSD25404Q3SLPS570 NOVEMBER 2015CSD25404Q3 20 V P-Channel NexFET Power MOSFET1 FeaturesProduct Summary1 Ultra-Low Qg and QgdTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Low Thermal ResistanceVDS Drain-to-source voltage 20 V Low RDS(on)Qg Gate charge total (4.5 V) 10.9 nC
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , 7N65 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FBM85N80B | FBM85N80P | FBM80N70B | FBM80N70P | N6005D | N6005B | N6005 | IN6005 | ID120N10ZR | I80N06 | I740 | I640 | I630 | I50N06 | I25N10 | I20N50
Popular searches
c644 transistor | fgpf4536 datasheet | p20nm60fp datasheet | 2sc1943 | 7408 mosfet | cs630 | 2sc2705 transistor | 647 transistor