CSD25484F4. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: CSD25484F4
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 78 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.094 Ohm
Тип корпуса: PICOSTAR
Аналог (замена) для CSD25484F4
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
CSD25484F4 даташит
csd25484f4.pdf
Sample & Support & Product Technical Tools & Buy Community Folder Documents Software CSD25484F4 SLPS551 MAY 2015 CSD25484F4 20 V P-Channel FemtoFET MOSFET 1 Features Product Summary 1 Low On Resistance TA = 25 C TYPICAL VALUE UNIT Ultra-Low Qg and Qgd VDS Drain-to-Source Voltage 20 V Low Threshold Voltage Qg Gate Charge Total ( 4.5 V) 1090 pC Ultr
csd25481f4.pdf
Sample & Support & Product Technical Tools & Buy Community Folder Documents Software CSD25481F4 SLPS420D SEPTEMBER 2013 REVISED OCTOBER 2014 CSD25481F4 20 V P-Channel FemtoFET MOSFET 1 Features Product Summary 1 Ultra-Low On Resistance TA = 25 C TYPICAL VALUE UNIT Ultra-Low Qg and Qgd VDS Drain-to-Source Voltage 20 V High Operating Drain Current Qg Gate
csd25483f4.pdf
Sample & Support & Product Technical Tools & Buy Community Folder Documents Software CSD25483F4 SLPS449D OCTOBER 2013 REVISED OCTOBER 2014 CSD25483F4 20 V P-Channel FemtoFET MOSFET 1 Features Product Summary 1 Ultra-Low On-Resistance TA = 25 C TYPICAL VALUE UNIT Ultra-Low Qg and Qgd VDS Drain-to-Source Voltage 20 V High Operating Drain Current Qg Gate C
csd25404q3.pdf
Sample & Support & Product Technical Tools & Buy Community Folder Documents Software CSD25404Q3 SLPS570 NOVEMBER 2015 CSD25404Q3 20 V P-Channel NexFET Power MOSFET 1 Features Product Summary 1 Ultra-Low Qg and Qgd TA = 25 C TYPICAL VALUE UNIT Low Thermal Resistance VDS Drain-to-source voltage 20 V Low RDS(on) Qg Gate charge total ( 4.5 V) 10.9 nC
Другие IGBT... CSD25303W1015, CSD25304W1015, CSD25310Q2, CSD25401Q3, CSD25402Q3A, CSD25404Q3, CSD25481F4, CSD25483F4, K4145, CSD75204W15, CSD75205W1015, CSD75207W15, CSD75208W1015, CSD75211W1723, CSD75301W1015, CSD83325L, CSD85301Q2
History: NCEAP01ND35AG | NCEAP018N85LL
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FTF30P35D | FTF25N35DHVT | FTF15N35D | FTE15C35G | FTP02P15G | FTE02P15G | AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1
Popular searches
fgpf4536 datasheet | p20nm60fp datasheet | 2sc1943 | 7408 mosfet | cs630 | 2sc2705 transistor | 647 transistor | d525 transistor






