Справочник MOSFET. KDS4559

 

KDS4559 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KDS4559
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для KDS4559

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KDS4559 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:78K  kexin
 kds4559.pdf pdf_icon

KDS4559

SMD Type ICSMD Type Transistors60V Complementary PowerTrench MOSFETKDS4559FeaturesN-Channel4.5A, 60V RDS(ON) =55m @VGS =10VRDS(ON) = 75m @VGS =4.5VP-Channel-3.5 A, -60 V RDS(ON) = 105 m @ VGS =- 10 VRDS(ON) = 135 m @VGS =-4.5VAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol N-Channel P- Channel UnitDrain to Source Voltage VDSS 60 -60 VGate to Source Voltage VGS 20 20

 9.1. Size:77K  kexin
 kds4501h.pdf pdf_icon

KDS4559

SMD Type ICSMD Type TransistorsComplementary PowerTrench Half-Bridge MOSFETKDS4501HFeaturesN-Channel9.3A, 30V RDS(ON) = 18m @VGS =10 VRDS(ON) = 23m @VGS =4.5VP-Channel-5.6 A, -20 V RDS(ON) =46 m @VGS =- 4.5 VRDS(ON) =63m @VGS =-2.5VAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol N-Channel P- Channel UnitDrain to Source Voltage VDSS 30 -20 VGate to Source Voltage VGS

Другие MOSFET... KDD6030L , KDR8702H , KDS2572 , KDS3512 , KDS3601 , KDS3912 , KDS4470 , KDS4501H , IRFZ44N , KDS4953 , KDS5670 , KDS6375 , KDS6685 , KDS6910 , KDS8333C , KDS8928A , KDS8958 .

History: HFU2N60S | AM3402N | US6M2 | HTS120N03

 

 
Back to Top

 


 
.