KF9N40D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KF9N40D  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.83 Ohm

Тип корпуса: TO-252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для KF9N40D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KF9N40D даташит

 ..1. Size:906K  kec
 kf9n40d.pdf pdf_icon

KF9N40D

KF9N40D SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent A K DIM MILLIMETERS avalanche characteristics. It is mainly suitable for LED Convertor and L C D _ A 6.60 + 0.20 _ B 6.10 + 0.20 switching mode power sup

Другие IGBT... KF5N40D, KF5N50FR, KF5N50PR, KF5N50PS, KF5N65I, KF6N70F, KF6N70I, KF7N65FM, IRFP064N, KHC21025, KHC2300, KHP45N03LT, KI1302DL, KI1303EDL, KI1304BDL, KI1400DL, KI1407DL