KHC2300 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: KHC2300
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.34 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
KHC2300 Datasheet (PDF)
khc2300.pdf
SMD Type ICSMD Type TransistorsComplementary EnhancementMode MOS TransistorsKHC2300FeaturesHigh-speed switchingNo secondary breakdown.Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol N-Channel P-Channel UnitDrain to Source Voltage VDSS 300 -300 VGate to Source Voltage VGS 20 20 VDrain Current Ts = 80 *1 ID 340 -235 Apeak drain current *2 IDM 14 -0.9 A1.6total power
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918