KI2307DS datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KI2307DS  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 126 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для KI2307DS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KI2307DS даташит

 ..1. Size:197K  tysemi
ki2307ds.pdfpdf_icon

KI2307DS

SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type MOSFET SMD Type MOSFET SMD Type MOSFE SMD Type MOSFET SMD Type MOSFET SMD Type MOSFET SMD Type IC Product specification KI2307DS SOT-23 Unit mm +0.1 2.9-0.1 Features +0.1 0.4-0.1 3 VDS=-30V, rDS(on)=0.080 ,VGS=-10V,ID=-3A VDS=-30V, rDS(on)=0.140 ,VGS=-4.5V,ID=-2.5A 1 2 +0.1 +0.05 0.95-0.1 0.1

 ..2. Size:1508K  kexin
si2307ds ki2307ds.pdfpdf_icon

KI2307DS

 8.1. Size:51K  kexin
ki2307bds.pdfpdf_icon

KI2307DS

SMD Type IC SMD Type Transistors P-Channel 30-V (D-S) MOSFET KI2307BDS SOT-23 Unit mm +0.1 2.9-0.1 +0.1 0.4-0.1 Features 3 TrenchFET Power MOSFET RoHS Compliant 12 +0.1 +0.05 0.95-0.1 0.1-0.01 +0.1 1.9-0.1 1.Base 1. Gate 2.Emitter 2. Source 3. Drain 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol 5 sec Steady State Unit Drain-Source Voltage VDS -30 V

 9.1. Size:848K  lge
ki2301.pdfpdf_icon

KI2307DS

Другие IGBT... KI2302DS, KI2303BDS, KI2303DS, KI2304DS, KI2305, KI2306, KI2306DS, KI2307BDS, 4N60, KI2309DS, KI2311DS, KI2312DS, KI2314EDS, KI2315BDS, KI2319DS, KI2321DS, KI2323DS