KI2319DS - аналоги и даташиты транзистора

 

KI2319DS - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: KI2319DS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.082 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для KI2319DS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KI2319DS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:50K  kexin
 ki2319ds.pdf pdf_icon

KI2319DS

SMD Type ICSMD Type TransistorsP-Channel 40-V (D-S) MOSFETKI2319DSSOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4-0.1Features3TrenchFET Power MOSFET12+0.1+0.050.95-0.1 0.1-0.01+0.11.9-0.11.Base1. Gate2.Emitter2. Source3. Drain3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol 5 sec Steady State UnitDrain-Source Voltage VDS -40 VGate-Source Volta

 9.1. Size:205K  kexin
 ki2312.pdf pdf_icon

KI2319DS

SMD Type MOSFETN-Channel Enhancement MOSFET KI2312 Features3 VDS (V) = 20V ID = 4.9 A (VGS =4.5V) RDS(ON) 33m (VGS = 4.5V)12 RDS(ON) 40m (VGS = 2.5V) RDS(ON) 51m (VGS = 1.8V) Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbo

 9.2. Size:1794K  kexin
 si2312 ki2312.pdf pdf_icon

KI2319DS

SMD Type MOSFETN-Channel Enhancement MOSFET SI2312 (KI2312)SOT-23-3Unit: mm+0.22.9-0.1+0.10.4 -0.1 Features3 VDS (V) = 20V ID = 4.9 A (VGS =4.5V) RDS(ON) 33m (VGS = 4.5V)1 2 RDS(ON) 40m (VGS = 2.5V)+0.02+0.10.15 -0.020.95 -0.1+0.11.9 -0.2 RDS(ON) 51m (VGS = 1.8V)G 13 D1. Gate2. SourceS 23. Drain Abs

 9.3. Size:175K  kexin
 ki2310.pdf pdf_icon

KI2319DS

SMD Type MOSFETN-Channel Enhancement MOSFETKI2310SOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4 -0.1 Features 3 VDS=20V ID = 6 .5A RDS(on)= 22m@VGS=4.5V ,ID=6.5A1 2 RDS(on)= 30m@VGS=2.5V ,ID=5.5A +0.050.95+0.1-0.1 0.1 -0.011.9+0.1-0.1G 13 D1.GateS 22.Source3.Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Dr

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... KI2306DS , KI2307BDS , KI2307DS , KI2309DS , KI2311DS , KI2312DS , KI2314EDS , KI2315BDS , AON6380 , KI2321DS , KI2323DS , KI2325DS , KI2328DS , KI2333CDS , KI2335DS , KI2337DS , KI2341DS .

History: WMK80R720S | NCE3N170

 

 
Back to Top

 


 
.