Справочник MOSFET. KI2325DS

 

KI2325DS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KI2325DS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.53 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

KI2325DS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:52K  kexin
ki2325ds.pdfpdf_icon

KI2325DS

SMD Type ICSMD Type TransistorsP-Channel 150-V (D-S) MOSFETKI2325DSSOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1Features +0.10.4-0.13TrenchFET Power MOSFETUltra Low On-ResistanceSmall Size12+0.1+0.050.95-0.1 0.1-0.01+0.11.9-0.11.Base1. Gate2.Emitter2. Source3. Drain3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol 5 sec Steady State UnitDrain-Source

 9.1. Size:437K  tysemi
ki2321ds.pdfpdf_icon

KI2325DS

SMD Type ICSMD Type MOSFETSMD Type MOSFETProduct specification KI2321DSSOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4-0.1Features3VDS (V) = -30VID =-4.2A(VGS = -10V)RDS(ON)

 9.2. Size:50K  kexin
ki2323ds.pdfpdf_icon

KI2325DS

SMD Type ICSMD Type TransistorsP-Channel 20-V (D-S) MOSFETKI2323DSSOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4-0.13FeaturesTrenchFET Power MOSFET12+0.1+0.050.95-0.1 0.1-0.01+0.11.9-0.11.Base1. Gate2.Emitter2. Source3. Drain3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol 5 sec Steady State UnitDrain-Source Voltage VDS -20 VGate-Source Volta

 9.3. Size:51K  kexin
ki2328ds.pdfpdf_icon

KI2325DS

SMD Type ICSMD Type TransistorsN-Channel 100-V (D-S) MOSFETKI2328DSSOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1Features+0.10.4-0.1312+0.1+0.050.95-0.1 0.1-0.01+0.11.9-0.11.Base1. Gate2.Emitter2. Source3. Drain3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol 5 sec Steady State UnitDrain-Source Voltage VDS 100 VGate-Source Voltage VGS 20 VContinuous

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: EFC6604R | HGB023NE6A | IAUC100N10S5N040 | STU601S | SMF10N65 | NCE2323 | HGB200N10SL

 

 
Back to Top

 


 
.