KI2325DS datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KI2325DS  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.53 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для KI2325DS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KI2325DS даташит

 ..1. Size:52K  kexin
 ki2325ds.pdf pdf_icon

KI2325DS

SMD Type IC SMD Type Transistors P-Channel 150-V (D-S) MOSFET KI2325DS SOT-23 Unit mm +0.1 2.9-0.1 Features +0.1 0.4-0.1 3 TrenchFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Small Size 12 +0.1 +0.05 0.95-0.1 0.1-0.01 +0.1 1.9-0.1 1.Base 1. Gate 2.Emitter 2. Source 3. Drain 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol 5 sec Steady State Unit Drain-Source

 9.1. Size:437K  tysemi
 ki2321ds.pdf pdf_icon

KI2325DS

SMD Type IC SMD Type MOSFET SMD Type MOSFET Product specification KI2321DS SOT-23 Unit mm +0.1 2.9-0.1 +0.1 0.4-0.1 Features 3 VDS (V) = -30V ID =-4.2A(VGS = -10V) RDS(ON)

 9.2. Size:50K  kexin
 ki2323ds.pdf pdf_icon

KI2325DS

SMD Type IC SMD Type Transistors P-Channel 20-V (D-S) MOSFET KI2323DS SOT-23 Unit mm +0.1 2.9-0.1 +0.1 0.4-0.1 3 Features TrenchFET Power MOSFET 12 +0.1 +0.05 0.95-0.1 0.1-0.01 +0.1 1.9-0.1 1.Base 1. Gate 2.Emitter 2. Source 3. Drain 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol 5 sec Steady State Unit Drain-Source Voltage VDS -20 V Gate-Source Volta

 9.3. Size:51K  kexin
 ki2328ds.pdf pdf_icon

KI2325DS

SMD Type IC SMD Type Transistors N-Channel 100-V (D-S) MOSFET KI2328DS SOT-23 Unit mm +0.1 2.9-0.1 Features +0.1 0.4-0.1 3 12 +0.1 +0.05 0.95-0.1 0.1-0.01 +0.1 1.9-0.1 1.Base 1. Gate 2.Emitter 2. Source 3. Drain 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol 5 sec Steady State Unit Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS 20 V Continuous

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... KI2309DS, KI2311DS, KI2312DS, KI2314EDS, KI2315BDS, KI2319DS, KI2321DS, KI2323DS, MMIS60R580P, KI2328DS, KI2333CDS, KI2335DS, KI2337DS, KI2341DS, KI2351DS, KI4300DY, KI4330DY