Справочник MOSFET. KI4403BDY

 

KI4403BDY MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: KI4403BDY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 33 nC
   trⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8

 Аналог (замена) для KI4403BDY

 

 

KI4403BDY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:49K  kexin
 ki4403bdy.pdf

KI4403BDY KI4403BDY

SMD Type ICSMD Type ICP-Channel 1.8-V (G-S) MOSFETKI4403BDYFeaturesTrenchFET Power MOSFETAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol 10 sec Steady State UnitDrain-Source Voltage VDS -20 VGate-Source Voltage VGS 8 VContinuous Drain Current (TJ=150 ) * TA=25 -9.9 -7.3ID A-7.9 -5.8------------------------------------------------TA=70Pulsed Drain Current IDM -30 A

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top