KI4403BDY datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KI4403BDY  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для KI4403BDY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KI4403BDY даташит

 ..1. Size:49K  kexin
 ki4403bdy.pdf pdf_icon

KI4403BDY

SMD Type IC SMD Type IC P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET KI4403BDY Features TrenchFET Power MOSFET Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol 10 sec Steady State Unit Drain-Source Voltage VDS -20 V Gate-Source Voltage VGS 8 V Continuous Drain Current (TJ=150 ) * TA=25 -9.9 -7.3 ID A -7.9 -5.8 ------------------------------------------------TA=70 Pulsed Drain Current IDM -30 A

Другие IGBT... KI2333CDS, KI2335DS, KI2337DS, KI2341DS, KI2351DS, KI4300DY, KI4330DY, KI4390DY, IRFB31N20D, KI4433DY, KI4453DY, KI4464DY, KI4500BDY, KI4501ADY, KI4501DY, KI4503DY, KI4505DY