KI4501DY MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: KI4501DY
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.8 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 4.5 nC
trⓘ - Время нарастания: 9 ns
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
KI4501DY Datasheet (PDF)
ki4501dy.pdf
SMD Type ICSMD Type TransistorsComplementary MOSFET Half-Bridge (N- and P-Channel)KI4501DYPIN ConfigurationAbsolute Maximum Ratings TA =25Parameter Symbol N-Channel P-Channel UnitDrain-Source Voltage VDS 30 -8 VGate-Source Voltage VGS 20 8 VContinuous Drain Current (TJ = 150 )* TA =25 9 6.2 AIDTA =70 7.4 5.0 APulsed Drain Current IDM 30 20 AContinuous Source Current (D
ki4501ady.pdf
SMD Type ICSMD Type TransistorsComplementary (N- and P-Channel) MOSFET Half-BridgeKI4501ADYFeaturesTrenchFET Power MOSFETAbsolute Maximum Ratings TA = 25N-Channel P-ChannelParameter Symbol Unit10 sec Steady State 10 sec Steady StateDrain-Source Voltage VDS 30 -8 VGate-Source Voltage VGS 20 8 VContinuous Drain Current (TJ = 150 )* TA =25 8.8 6.3 -5.7 -4.1 AIDTA =70 7
ki4500bdy.pdf
SMD Type ICSMD Type TransistorsComplementary MOSFET Half-Bridge (N- and P-Channel)KI4500BDYFeaturesTrenchFET Power MOSFETAbsolute Maximum Ratings TA =25N-Channel P-ChannelParameter Symbol Unit10 sec Steady State 10 sec Steady StateDrain-Source Voltage VDS 20 -20 VGate-Source Voltage VGS 12 12 VContinuous Drain Current TA =25 9.1 6.6 ?5.3 -3.8 AID(TJ = 150 )* TA =70 7
ki4505dy.pdf
SMD Type ICSMD Type TransistorsN- and P-Channel MOSFETKI4505DYFeaturesTrenchFET Power MOSFETAbsolute Maximum Ratings TA =25N-Channel P-ChannelParameter Symbol Unit10 sec Steady State 10 sec Steady StateDrain-Source Voltage VDS 30 -8 VGate-Source Voltage VGS 20 8 VContinuous Drain Current (TJ = 150 )* TA =25 7.8 6 -5 -3.8 AIDTA =70 6 5.2 -3.6 -3 APulsed Drain Curren
ki4503dy.pdf
SMD Type ICSMD Type TransistorsN- and P-Channel MOSFETKI4503DYFeaturesTrenchFET Power MOSFETAbsolute Maximum Ratings TA =25N-Channel P-ChannelParameter Symbol Unit10 sec Steady State 10 sec Steady StateDrain-Source Voltage VDS 30 -8 VGate-Source Voltage VGS 20 8 VContinuous Drain Current (TJ = 150 )* TA =25 8.8 6.3 -4.5 -3.8 AIDTA =70 7 5.2 -3.6 -3 APulsed Drain Cu
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918