Справочник MOSFET. KI5513DC

 

KI5513DC Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KI5513DC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
   Тип корпуса: CHIPFET
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

KI5513DC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:70K  kexin
 ki5513dc.pdf pdf_icon

KI5513DC

SMD Type ICSMD Type ICComplementary 20-V (D-S) MOSFETKI5513DCPIN ConfigurationAbsolute Maximum Ratings TA =25N-Channel P-ChannelParameter Symbol Unit5 secs Steady State 5 secs Steady StateDrain-Source Voltage VDS 20 -20 VGate-Source Voltage VGS 12 VContinuous Drain Current (TJ = 150 )* TA =25 4.2 3.1 -2.9 -2.1 AIDTA =85 3 2.2 -2.1 -1.5 APulsed Drain Current IDM 10 -1

 9.1. Size:69K  kexin
 ki5515dc.pdf pdf_icon

KI5513DC

SMD Type ICSMD Type ICComplementary 20-V (D-S) MOSFETKI5515DCFeaturesTrenchFET Power MOSFETSUltra Low rDS(on) and Excellent PowerHandling In Compact FootprintAbsolute Maximum Ratings TA =25N-Channel P-ChannelParameter Symbol Unit5 secs Steady State 5 secs Steady StateDrain-Source Voltage VDS 20 -20 VGate-Source Voltage VGS 8 VContinuous Drain Current (TJ = 150 )* TA

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: VBZM60N06 | NCEP026N10F | IAUA200N04S5N010 | SI7913DN | JCS5N50CT | MC11N005 | NVMFS5C628N

 

 
Back to Top

 


 
.