KI7540DP - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: KI7540DP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 11.5 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
Аналог (замена) для KI7540DP
KI7540DP Datasheet (PDF)
ki7540dp.pdf

SMD Type ICSMD Type ICN- and P-Channel 12-V (D-S) MOSFETKI7540DPFeaturesTrenchFET Power MOSFETPWM Optimized for High EfficiencyAbsolute Maximum Ratings TA =25N-Channel P-ChannelParameter Symbol Unit10 secs Steady State 10 secs Steady StateDrain-Source Voltage VDS 12 -12 VGate-Source Voltage VGS 8 8 VContinuous Drain Current (TJ = 150 )* TA =25 11.8 7.6 -8.9 -5.7 AID
Другие MOSFET... KI5902DC , KI5903DC , KI5904DC , KI5905DC , KI5908DC , KI5935DC , KI5P03DY , KI6968BEDQ , STP75NF75 , KMB075N75P , KMDF2C03HD , KML0D4N20E , KML0D4P20E , KN0606L , KO3402 , KO3403 , KO3404 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP10N06MSI | AP10N06D | AP10N04MSI | AP10H10S | AP10H04DF | AP10G06S | AP10G06NF | AP10G03S | AP100P04D | AP100P03D | APJ10N65P | APJ10N65T | APJ10N65F | AP65R950 | APJ10N65D | APG80N10T
Popular searches
irfp460 характеристики | k2837 datasheet | k389 transistor | mje15032g equivalent | nsd134 | 60r190p datasheet | cs30n20 datasheet | go42n10