KI7540DP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: KI7540DP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.4 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 12 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 8 V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 1.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7.6 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 11.5 nC
Время нарастания (tr): 50 ns
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.017 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
KI7540DP Datasheet (PDF)
1.1. ki7540dp.pdf 
Size:57K _update_mosfet
SMD Type IC SMD Type IC N- and P-Channel 12-V (D-S) MOSFET KI7540DP Features TrenchFET Power MOSFET PWM Optimized for High Efficiency Absolute Maximum Ratings TA =25 N-Channel P-Channel Parameter Symbol Unit 10 secs Steady State 10 secs Steady State Drain-Source Voltage VDS 12 -12 V Gate-Source Voltage VGS 8 8 V Continuous Drain Current (TJ = 150 )* TA =25 11.8 7.6 -8.9 -5.7 A ID
Другие MOSFET... NTF5P03T3 , NTF6P02 , NTGD1100L , NTGD3148N , NTGD4161P , NTGD4167C , NTGS3130N , NTGS3136P , IRF540N , NTGS3441 , NTGS3443 , NTGS3446 , NTGS3455 , NTGS4111P , NTGS4141N , NTGS5120P , NTHC5513 .
