KPA1716. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: KPA1716
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 700 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
Аналог (замена) для KPA1716
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
KPA1716 даташит
kpa1716.pdf
SMD Type SMD Type SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC Product specification KPA1716 Features Low on-state resistance RDS(on)1 = 12.5 m TYP. (VGS =-10 V, ID =-4 A) RDS(on)2 =17 m TYP. (VGS =-4.5 V, ID =-4A) RDS(on)3 =19 m TYP. (VGS = -4.01 V, ID =-4 A) Low Ciss Ciss = 2100 pF TYP. Built-in G-S protection diode Small and surface mount package
kpa1793.pdf
SMD Type IC SMD Type IC MOS Field Effect Transistor KPA1793 Features Low on-state resistance N-channel RDS(on)1 =69 m MAX. (VGS =10 V, ID =1.5 A) RDS(on)2 =72 m MAX. (VGS =4.0 V, ID =1.5 A) RDS(on)3 = 107 m MAX. (VGS =2.5 V, ID =1.0 A) P-channel RDS(on)1 = 115 m MAX. (VGS =-4.5 V, ID =-1.5A) RDS(on)2 = 120 m MAX. (VGS =-4.0V, ID =-1.5 A) RDS(on)3 = 190 m MAX. (VGS =-2.5V, ID =-1.0 A)
kpa1764.pdf
SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC Product specification KPA1764 Features Dual chip type Low on-state resistance RDS(on)1 =27 m TYP. (VGS =10V, ID =3.5 A) RDS(on)2 =32 m TYP. (VGS =4.5 V, ID =3.5 A) 1 Source 1 RDS(on)3 =34 m TYP. (VGS =4.0 V, ID =3.5 A) 2 Gate 1 Low input capacitance 7, 8 Drain 1 3 Source 2 Ciss = 1300 pF TYP. 4 Gate 2 5, 6 Drain 2 Bui
kpa1758.pdf
SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type MOSFET SMD Type SMD Type IC Product specification KPA1758 Features Dual MOS FET chips in small package 2.5 V gate drive type low on-state resistance RDS(on)1 =30 m (MAX.) (VGS =4.5 V, ID =3.0 A) RDS(on)2 =40 m (MAX.) (VGS =2.5 V, ID =3.0 A) 1 Sou
Другие MOSFET... KP978VC , KP979A , KP979B , KP979VC , KP980A , KP981A , KP981BC , KP981VC , STF13NM60N , KPA1750 , KPA1758 , KPA1764 , KPA1790 , KPA1792 , KPA1793 , KPA1816 , KPA1871 .
History: KF4N20LW
History: KF4N20LW
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
Popular searches
2n2222 datasheet | irf9540 | 2n3055 datasheet | 2sc945 | irfp250n | irf9540n | bd139 datasheet | irf9640







