PHB3N50E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PHB3N50E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm

Тип корпуса: SOT404

Аналог (замена) для PHB3N50E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHB3N50E даташит

 ..1. Size:78K  philips
 php3n50e phb3n50e.pdf pdf_icon

PHB3N50E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHP3N50E, PHB3N50E Avalanche energy rated FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA d Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 500 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 3.4 A g Low thermal resistance RDS(ON) 3 s GENERAL DESCRIPTION N-channel, enhan

 9.1. Size:79K  philips
 php3n60e phb3n60e.pdf pdf_icon

PHB3N50E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHP3N60E, PHB3N60E Avalanche energy rated FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA d Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 600 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 2.8 A g Low thermal resistance RDS(ON) 4.4 s GENERAL DESCRIPTION N-channel, enh

 9.2. Size:103K  philips
 php3n40e phb3n40e phd3n40e.pdf pdf_icon

PHB3N50E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHP3N40E, PHB3N40E, PHD3N40E Avalanche energy rated FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA d Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 400 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 2.5 A g Low thermal resistance RDS(ON) 3.5 s GENERAL DESCRIPTION N-ch

Другие IGBT... PHB125N06LT, PHB130N03LT, PHB21N06LT, PHB24N03LT, PHB2N50E, PHB2N60E, PHB37N06LT, PHB3N40E, IRF9540, PHB3N60E, PHB42N03LT, PHB44N06LT, PHB45N03LT, PHB4N60E, PHB50N03LT, PHB50N06LT, PHB55N03LT