NVB6410AN datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NVB6410AN  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 188 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 76 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 170 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 650 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для NVB6410AN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVB6410AN даташит

 ..1. Size:77K  onsemi
 nvb6410an.pdf pdf_icon

NVB6410AN

NTB6410AN, NTP6410AN, NVB6410AN N-Channel Power MOSFET 100 V, 76 A, 13 mW Features www.onsemi.com Low RDS(on) High Current Capability ID MAX 100% Avalanche Tested V(BR)DSS RDS(ON) MAX (Note 1) NVB Prefix for Automotive and Other Applications Requiring 100 V 13 mW @ 10 V 76 A Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable N-Channel

 ..2. Size:81K  onsemi
 ntb6410an ntp6410an nvb6410an.pdf pdf_icon

NVB6410AN

NTB6410AN, NTP6410AN, NVB6410AN N-Channel Power MOSFET 100 V, 76 A, 13 mW Features www.onsemi.com Low RDS(on) High Current Capability ID MAX 100% Avalanche Tested V(BR)DSS RDS(ON) MAX (Note 1) NVB Prefix for Automotive and Other Applications Requiring 100 V 13 mW @ 10 V 76 A Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable N-Channel

 8.1. Size:77K  onsemi
 nvb6412an.pdf pdf_icon

NVB6410AN

NTB6412AN, NTP6412AN, NVB6412AN N-Channel Power MOSFET 100 V, 58 A, 18.2 mW Features Low RDS(on) www.onsemi.com High Current Capability 100% Avalanche Tested ID MAX NVB Prefix for Automotive and Other Applications Requiring V(BR)DSS RDS(ON) MAX (Note 1) Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 100 V 18.2 mW @ 10 V 58 A Qualified and PPAP Capable Th

 8.2. Size:271K  onsemi
 ntb6412an ntp6412an nvb6412an.pdf pdf_icon

NVB6410AN

NTB6412AN, NTP6412AN, NVB6412AN N-Channel Power MOSFET 100 V, 58 A, 18.2 mW Features Low RDS(on) www.onsemi.com High Current Capability 100% Avalanche Tested ID MAX NVB Prefix for Automotive and Other Applications Requiring V(BR)DSS RDS(ON) MAX (Note 1) Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 100 V 18.2 mW @ 10 V 58 A Qualified and PPAP Capable Th

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NVA4153N, NVA7002NT1G, NVB25P06, NVB5404N, NVB5426N, NVB5860N, NVB5860NL, NVB60N06, 5N60, NVB6411AN, NVB6412AN, NVB6413AN, NVD14N03R, NVD20N03L27, NVD3055-094, NVD3055-150, NVD3055L170