NVD5805N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: NVD5805N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 47 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 51 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 17.9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm
Тип корпуса: DPAK
Аналог (замена) для NVD5805N
NVD5805N Datasheet (PDF)
nvd5805n.pdf

NTD5805N, NVD5805NPower MOSFET40 V, 51 A, Single N-Channel, DPAKFeatures Low RDS(on) High Current Capabilityhttp://onsemi.com Avalanche Energy Specified NVD Prefix for Automotive and Other Applications RequiringV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAXUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q10116 mW @ 5.0 VQualified and PPAP Capable40 V51 A These Devices
nvd5807n.pdf

NTD5807N, NVD5807NPower MOSFET40 V, 23 A, Single N-Channel, DPAK/IPAKFeatures Low RDS(on) High Current Capabilityhttp://onsemi.com Avalanche Energy Specified AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVD5807NV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant37 mW @ 4.5 V 16 A40 VApplications31 mW @ 10 V 23 A CCFL Backlight
nvd5802n.pdf

NTD5802N, NVD5802NPower MOSFET40 V, Single N-Channel, 101 A DPAKFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losseshttp://onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses MSL 1/260CV(BR)DSS RDS(on) ID 100% Avalanche Tested4.4 mW @ 10 V 101 A NVD Prefix for Automotive and Other Applications Requirin
nvd5803n.pdf

NVD5803NPower MOSFET40 V, 85 A, Single N-Channel, DPAKFeatures Low RDS(on) High Current Capabilityhttp://onsemi.com Avalanche Energy Specified AEC-Q101 Qualified These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAXCompliant40 V 5.7 mW @ 10 V 85 AApplications DC Motor DriveD Reverse Battery Protection G
Другие MOSFET... NVD4813NH , NVD4856N , NVD4C05N , NVD5117PL , NVD5414N , NVD5484NL , NVD5490NL , NVD5802N , AON7403 , NVD5806N , NVD5807N , NVD5890NL , NVD5890NT4G , NVD6414AN , NVD6415AN , NVD6416AN , NVD6416ANL .
History: AP9992GP-HF | STD44N4LF6 | CS100N08A8 | UPA2350T1P | DMT6010SCT | AOB20S60L | YJQ40G10A
History: AP9992GP-HF | STD44N4LF6 | CS100N08A8 | UPA2350T1P | DMT6010SCT | AOB20S60L | YJQ40G10A



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2sd315 | a1013 | 2sb554 | 2sd2560 | 2sc2078 transistor | bc558 datasheet | p75nf75 mosfet | ao4407a