NVD5890NT4G datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: NVD5890NT4G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 123 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 785 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0037 Ohm
Тип корпуса: DPAK
Аналог (замена) для NVD5890NT4G
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
NVD5890NT4G даташит
nvd5890nt4g.pdf
NVD5890N Power MOSFET 40 V, 123 A, Single N-Channel DPAK Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses MSL 1/260 C http //onsemi.com AEC Q101 Qualified and PPAP Capable 100% Avalanche Tested These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS V(BR)DSS RDS(on) ID Compliant 40 V 3.7 mW @ 10 V 123 A Applications Motor Drivers D Pump Drive
nvd5890n.pdf
NVD5890N Power MOSFET 40 V, 123 A, Single N-Channel DPAK Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses MSL 1/260 C http //onsemi.com AEC Q101 Qualified and PPAP Capable 100% Avalanche Tested These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS V(BR)DSS RDS(on) ID Compliant 40 V 3.7 mW @ 10 V 123 A Applications Motor Drivers D Pump Drive
nvd5890nl.pdf
NVD5890NL Power MOSFET 40 V, 3.7 mW, 123 A, Single N-Channel DPAK Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses http //onsemi.com MSL 1 @ 260 C 100% Avalanche Tested V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX AEC Q101 Qualified and PPAP Capable 3.7 mW @ 10 V These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 40 V 123 A Compliant 5.5 mW @ 4.5 V MAXIMUM RATI
nvd5863nl.pdf
NVD5863NL Power MOSFET 60 V, 7.1 mW, 82 A, Single N-Channel Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses High Current Capability Avalanche Energy Specified http //onsemi.com AEC-Q101 Qualified These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS V(BR)DSS RDS(on) ID Compliant 7.1 mW @ 10 V 60 V 82 A MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise not
Другие IGBT... NVD5414N, NVD5484NL, NVD5490NL, NVD5802N, NVD5805N, NVD5806N, NVD5807N, NVD5890NL, EMB04N03H, NVD6414AN, NVD6415AN, NVD6416AN, NVD6416ANL, NVD6495NL, NVD6820NL, NVD6824NL, NVD6828NL
History: HY3210B
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASDM30DN30E | ASDM3050KQ | ASDM2305 | ASDM2301 | ASDM2300ZA | ASDM20P13S | ASDM20N90Q | ASDM20N60 | ASDM7002EZA | ASDM68N80KQ | ASDM6802ZC | ASDM60R042NQ | ASDM60P12KQ | ASDM60N80KQ | ASDM60N70Q | ASDM60N50KQ
Popular searches
2sc2078 transistor | bc558 datasheet | p75nf75 mosfet | ao4407a | mpsa06 datasheet | bc548 pinout | bdw94c | bd140 transistor













