NVD6414AN datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NVD6414AN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 52 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.037 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для NVD6414AN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVD6414AN даташит

 ..1. Size:129K  onsemi
 ntd6414an nvd6414an.pdf pdf_icon

NVD6414AN

NTD6414AN, NVD6414AN MOSFET Power, N-Channel 100 V, 32 A, 37 mW Features http //onsemi.com Low RDS(on) High Current Capability ID MAX 100% Avalanche Tested V(BR)DSS RDS(on) MAX (Note 1) NVD Prefix for Automotive and Other Applications Requiring 100 V 37 mW @ 10 V 32 A Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable These De

 ..2. Size:98K  onsemi
 nvd6414an.pdf pdf_icon

NVD6414AN

NTD6414AN, NVD6414AN N-Channel Power MOSFET 100 V, 32 A, 37 mW Features Low RDS(on) High Current Capability http //onsemi.com 100% Avalanche Tested NVD Prefix for Automotive and Other Applications Requiring ID MAX V(BR)DSS RDS(on) MAX Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 (Note 1) Qualified and PPAP Capable 100 V 37 mW @ 10 V 32 A These Devices

 8.1. Size:129K  onsemi
 ntd6416an nvd6416an.pdf pdf_icon

NVD6414AN

NTD6416AN, NVD6416AN MOSFET Power, N-Channel 100 V, 17 A, 81 mW Features http //onsemi.com Low RDS(on) High Current Capability ID MAX 100% Avalanche Tested V(BR)DSS RDS(on) MAX (Note 1) NVD Prefix for Automotive and Other Applications Requiring 100 V 81 mW @ 10 V 17 A Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable These De

 8.2. Size:98K  onsemi
 nvd6416an.pdf pdf_icon

NVD6414AN

NTD6416AN, NVD6416AN N-Channel Power MOSFET 100 V, 17 A, 81 mW Features Low RDS(on) High Current Capability http //onsemi.com 100% Avalanche Tested NVD Prefix for Automotive and Other Applications Requiring ID MAX Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 V(BR)DSS RDS(on) MAX (Note 1) Qualified and PPAP Capable 100 V 81 mW @ 10 V 17 A These Devices a

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NVD5484NL, NVD5490NL, NVD5802N, NVD5805N, NVD5806N, NVD5807N, NVD5890NL, NVD5890NT4G, RU7088R, NVD6415AN, NVD6416AN, NVD6416ANL, NVD6495NL, NVD6820NL, NVD6824NL, NVD6828NL, NVDD5894NL