NVGS3441 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: NVGS3441
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 23.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 265 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
Тип корпуса: TSOP-6
Аналог (замена) для NVGS3441
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
NVGS3441 даташит
ntgs3441t1 nvgs3441.pdf
NTGS3441, NVGS3441 Power MOSFET 1 Amp, 20 Volts, P-Channel TSOP-6 Features Ultra Low RDS(on) http //onsemi.com Higher Efficiency Extending Battery Life Miniature TSOP-6 Surface Mount Package 1 AMPERE NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique 20 VOLTS Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and RDS(on) = 90 mW PPAP Capable
ntgs3443 nvgs3443.pdf
NTGS3443, NVGS3443 Power MOSFET 4.4 Amps, 20 Volts P-Channel TSOP-6 http //onsemi.com Features Ultra Low RDS(on) 4.4 AMPERES Higher Efficiency Extending Battery Life 20 VOLTS Miniature TSOP-6 Surface Mount Package RDS(on) = 65 mW These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant NVGS Prefix for Automotive and Other Applications Requiring P-Channel Unique Site a
nvgs3443.pdf
NTGS3443, NVGS3443 Power MOSFET 4.4 Amps, 20 Volts P-Channel TSOP-6 http //onsemi.com Features Ultra Low RDS(on) 4.4 AMPERES Higher Efficiency Extending Battery Life 20 VOLTS Miniature TSOP-6 Surface Mount Package RDS(on) = 65 mW These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant NVGS Prefix for Automotive and Other Applications Requiring P-Channel Unique Site a
nvgs3136p.pdf
NTGS3136P, NVGS3136P Power MOSFET -20 V, -5.8 A, Single P-Channel, TSOP-6 Features Low RDS(on) in TSOP-6 Package 1.8 V Gate Rating www.onsemi.com Fast Switching NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique V(BR)DSS RDS(ON) TYP ID MAX Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and 25 mW @ -4.5 V -5.1 A PPAP Capable -20 V 32 mW @ -2.5
Другие IGBT... NVF2201N, NVF2955, NVF3055-100, NVF3055L108, NVF5P03, NVF6P02, NVGS3130N, NVGS3136P, IRF640, NVGS3443, NVGS4111P, NVGS4141N, NVGS5120P, NVJD4152P, NVJD4158C, NVJD4401N, NVJD5121N
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASDM30DN30E | ASDM3050KQ | ASDM2305 | ASDM2301 | ASDM2300ZA | ASDM20P13S | ASDM20N90Q | ASDM20N60 | ASDM7002EZA | ASDM68N80KQ | ASDM6802ZC | ASDM60R042NQ | ASDM60P12KQ | ASDM60N80KQ | ASDM60N70Q | ASDM60N50KQ
Popular searches
2sa992 | 2sa970 | a970 | d2390 transistor | 2n5087 equivalent | tip147 datasheet | 2n4124 | mj15022






