NVGS3443 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: NVGS3443 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
Тип корпуса: TSOP-6
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для NVGS3443
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
NVGS3443 даташит
ntgs3443 nvgs3443.pdf
NTGS3443, NVGS3443 Power MOSFET 4.4 Amps, 20 Volts P-Channel TSOP-6 http //onsemi.com Features Ultra Low RDS(on) 4.4 AMPERES Higher Efficiency Extending Battery Life 20 VOLTS Miniature TSOP-6 Surface Mount Package RDS(on) = 65 mW These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant NVGS Prefix for Automotive and Other Applications Requiring P-Channel Unique Site a
nvgs3443.pdf
NTGS3443, NVGS3443 Power MOSFET 4.4 Amps, 20 Volts P-Channel TSOP-6 http //onsemi.com Features Ultra Low RDS(on) 4.4 AMPERES Higher Efficiency Extending Battery Life 20 VOLTS Miniature TSOP-6 Surface Mount Package RDS(on) = 65 mW These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant NVGS Prefix for Automotive and Other Applications Requiring P-Channel Unique Site a
ntgs3441t1 nvgs3441.pdf
NTGS3441, NVGS3441 Power MOSFET 1 Amp, 20 Volts, P-Channel TSOP-6 Features Ultra Low RDS(on) http //onsemi.com Higher Efficiency Extending Battery Life Miniature TSOP-6 Surface Mount Package 1 AMPERE NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique 20 VOLTS Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and RDS(on) = 90 mW PPAP Capable
nvgs3136p.pdf
NTGS3136P, NVGS3136P Power MOSFET -20 V, -5.8 A, Single P-Channel, TSOP-6 Features Low RDS(on) in TSOP-6 Package 1.8 V Gate Rating www.onsemi.com Fast Switching NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique V(BR)DSS RDS(ON) TYP ID MAX Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and 25 mW @ -4.5 V -5.1 A PPAP Capable -20 V 32 mW @ -2.5
Другие IGBT... NVF2955, NVF3055-100, NVF3055L108, NVF5P03, NVF6P02, NVGS3130N, NVGS3136P, NVGS3441, IRF640, NVGS4111P, NVGS4141N, NVGS5120P, NVJD4152P, NVJD4158C, NVJD4401N, NVJD5121N, NVJS3151P
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
History: VBE5415 | IPA80R900P7
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CS95118 | CS85105A | CS75N45 | CS72N12 | CS55N50 | CS48N75A | CS40N27 | MSQ60P04D | MSQ40P07D | MSQ30P40D | MSQ30P15 | MSQ30P07D | MSQ100N03D | MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46
Popular searches
2sa970 | a970 | d2390 transistor | 2n5087 equivalent | tip147 datasheet | 2n4124 | mj15022 | toshiba c5198






