NVMFS5832NL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NVMFS5832NL  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm

Тип корпуса: SO-8FL

Аналог (замена) для NVMFS5832NL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVMFS5832NL даташит

 ..1. Size:108K  onsemi
nvmfs5832nl.pdfpdf_icon

NVMFS5832NL

NVMFS5832NL Power MOSFET 40 V, 4.2 mW, 120 A, Single N-Channel Features Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses http //onsemi.com AEC-Q101 Qualified These are Pb-Free Devices V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX 4.2 mW @ 10 V MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise noted)

 6.1. Size:112K  onsemi
ntmfs5834nl nvmfs5834nl.pdfpdf_icon

NVMFS5832NL

NTMFS5834NL, NVMFS5834NL Power MOSFET 40 V, 75 A, 9.3 mW, Single N-Channel Features Low RDS(on) Low Capacitance http //onsemi.com Optimized Gate Charge NVMFS5834NLWF - Wettable Flanks Product V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX NVMFS Prefix for Automotive and Other Applications Requiring 9.3 mW @ 10 V Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 40 V 75 A 13.6

 6.2. Size:71K  onsemi
nvmfs5833n.pdfpdf_icon

NVMFS5832NL

NVMFS5833N Power MOSFET 40 V, 7.5 mW, 86 A, Single N-Channel, SO-8FL Features Low RDS(on) http //onsemi.com Low Capacitance Optimized Gate Charge V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable NVMFS5833NWF - Wettable Franks Option for Enhanced Optical 40 V 7.5 mW @ 10 V 86 A Inspection These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant D (5)

 6.3. Size:110K  onsemi
nvmfs5830nl.pdfpdf_icon

NVMFS5832NL

NVMFS5830NL Power MOSFET 40 V, 2.3 mW, 185 A, Single N-Channel Features Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses http //onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses NVMFS5830NLWF - Wettable Flanks Product V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable These Devices are Pb-Free and are

Другие IGBT... NVMFD5853NL, NVMFD5873NL, NVMFS4C01N, NVMFS4C03N, NVMFS4C05N, NVMFS5113PL, NVMFS5826NL, NVMFS5830NL, SKD502T, NVMFS5833N, NVMFS5834NL, NVMFS5844NL, NVMFS5885NL, NVMFS5C404N, NVMFS5C404NL, NVMFS5C410NL, NVMFS5C423NL