NVMFS5844NL datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: NVMFS5844NL 📄📄
Маркировка: 5844NL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.7 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.3 V
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 30 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
Тип корпуса: DFN5
Аналог (замена) для NVMFS5844NL
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
NVMFS5844NL даташит
ntmfs5844nl nvmfs5844nl.pdf
NTMFS5844NL, NVMFS5844NL MOSFET Power, Single, N-Channel 60 V, 61 A, 12 mW Features http //onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX NVMFS5844NLWF - Wettable Flanks Product 12 mW @ 10 V 60 V 61 A NVMFS Prefix for Automotive and
ntmfs5844nlt1g nvmfs5844nl.pdf
NTMFS5844NL, NVMFS5844NL Power MOSFET 60 V, 61 A, 12 mW, Single N-Channel Features Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design http //onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses NVMFS Prefix for Automotive and Other Applications Requiring V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Unique Site and Control Change Requirements;
nvmfs5832nl.pdf
NVMFS5832NL Power MOSFET 40 V, 4.2 mW, 120 A, Single N-Channel Features Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses http //onsemi.com AEC-Q101 Qualified These are Pb-Free Devices V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX 4.2 mW @ 10 V MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise noted)
ntmfs5834nl nvmfs5834nl.pdf
NTMFS5834NL, NVMFS5834NL Power MOSFET 40 V, 75 A, 9.3 mW, Single N-Channel Features Low RDS(on) Low Capacitance http //onsemi.com Optimized Gate Charge NVMFS5834NLWF - Wettable Flanks Product V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX NVMFS Prefix for Automotive and Other Applications Requiring 9.3 mW @ 10 V Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 40 V 75 A 13.6
Другие IGBT... NVMFS4C03N, NVMFS4C05N, NVMFS5113PL, NVMFS5826NL, NVMFS5830NL, NVMFS5832NL, NVMFS5833N, NVMFS5834NL, AON7410, NVMFS5885NL, NVMFS5C404N, NVMFS5C404NL, NVMFS5C410NL, NVMFS5C423NL, NVMFS5C442NL, NVMFS5C604NL, NVMFS5C612NL
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASDM30DN30E | ASDM3050KQ | ASDM2305 | ASDM2301 | ASDM2300ZA | ASDM20P13S | ASDM20N90Q | ASDM20N60 | ASDM7002EZA | ASDM68N80KQ | ASDM6802ZC | ASDM60R042NQ | ASDM60P12KQ | ASDM60N80KQ | ASDM60N70Q | ASDM60N50KQ
Popular searches
2n7000 equivalent | tip31 | tip122 transistor | 2sc1079 | 2sc1815 equivalent | 2sa1220 | 2sa940 | 2sc627









