NVMFS5885NL datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: NVMFS5885NL 📄📄
Маркировка: V5885L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.7 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 12 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 64 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
Тип корпуса: DFN5
Аналог (замена) для NVMFS5885NL
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
NVMFS5885NL даташит
nvmfs5885nl.pdf
NVMFS5885NL Power MOSFET 60 V, 15 mW, 39 A, Single N-Channel Features Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses http //onsemi.com Low Capacitance to Minimize Driver Losses NVMFS5885NLWF - Wettable Flanks Product V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable These Devices are Pb-Free and are RoHS Com
nvmfs5832nl.pdf
NVMFS5832NL Power MOSFET 40 V, 4.2 mW, 120 A, Single N-Channel Features Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses http //onsemi.com AEC-Q101 Qualified These are Pb-Free Devices V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX 4.2 mW @ 10 V MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise noted)
ntmfs5834nl nvmfs5834nl.pdf
NTMFS5834NL, NVMFS5834NL Power MOSFET 40 V, 75 A, 9.3 mW, Single N-Channel Features Low RDS(on) Low Capacitance http //onsemi.com Optimized Gate Charge NVMFS5834NLWF - Wettable Flanks Product V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX NVMFS Prefix for Automotive and Other Applications Requiring 9.3 mW @ 10 V Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 40 V 75 A 13.6
nvmfs5833n.pdf
NVMFS5833N Power MOSFET 40 V, 7.5 mW, 86 A, Single N-Channel, SO-8FL Features Low RDS(on) http //onsemi.com Low Capacitance Optimized Gate Charge V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable NVMFS5833NWF - Wettable Franks Option for Enhanced Optical 40 V 7.5 mW @ 10 V 86 A Inspection These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant D (5)
Другие IGBT... NVMFS4C05N, NVMFS5113PL, NVMFS5826NL, NVMFS5830NL, NVMFS5832NL, NVMFS5833N, NVMFS5834NL, NVMFS5844NL, 12N60, NVMFS5C404N, NVMFS5C404NL, NVMFS5C410NL, NVMFS5C423NL, NVMFS5C442NL, NVMFS5C604NL, NVMFS5C612NL, NVMFS5C646NL
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASDM30DN30E | ASDM3050KQ | ASDM2305 | ASDM2301 | ASDM2300ZA | ASDM20P13S | ASDM20N90Q | ASDM20N60 | ASDM7002EZA | ASDM68N80KQ | ASDM6802ZC | ASDM60R042NQ | ASDM60P12KQ | ASDM60N80KQ | ASDM60N70Q | ASDM60N50KQ
Popular searches
tip31 | tip122 transistor | 2sc1079 | 2sc1815 equivalent | 2sa1220 | 2sa940 | 2sc627 | 2sc680









